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        阮華德:未來半導體發(fā)展已無法依循摩爾定律

        作者: 時間:2010-08-30 來源:Digitimes 收藏

          近來在微縮的進展速度逐漸趨緩下,觀察未來的產(chǎn)業(yè)走勢,明導國際(Mentor Graphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(Walden C. Rhines)表示,未來10年內(nèi),制程微縮將遇到經(jīng)濟效益上的考慮,半導體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循(Moore’s Law)發(fā)展。他并指出,投入3D IC發(fā)展是延續(xù)半導體產(chǎn)業(yè)的成長動能。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/112175.htm

          阮華德認為,是一個從觀察中并歸納成的產(chǎn)業(yè)趨勢,并非不變的法則,而提出者的Gordon Moore近年來也已修正此定律。阮華德表示,摩爾定律為學習曲線,只要產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模持續(xù)放大,而成本就會下滑。過去10年,半導體產(chǎn)業(yè)所生產(chǎn)的晶體管數(shù)量每年成長49%,芯片的出貨顆數(shù)每年也有13%的成長,因此,芯片價格逐漸下滑為最此趨勢的反應。

          根據(jù)摩爾定律,每18~24個月,芯片上整合的晶體管數(shù)量就會增加1倍。不過,阮華德認為,隨著科技持續(xù)推進,現(xiàn)階段制程微縮已不是在單一芯片封裝中整合更多晶體管的唯一解決之道。他舉例,3D IC將是未來10年間可與制程微縮相提并論的半導體技術。

          明導近年來一直在3D IC上投注大量研發(fā)資源。目前已有內(nèi)存業(yè)者利用相關解決方案,將硅穿孔(TSV)制程導入生產(chǎn)過程中。而阮華德表示,目前此技術應用在邏輯制程中仍需面臨挑戰(zhàn),包含相關的電磁干擾分析等工作。不過,阮華德指出,目前這些工具在現(xiàn)在的電子設計自動化(EDA)環(huán)境中都已提供,供貨商只需根據(jù)3D IC的特性做改良。若未來客戶對3D IC需求提升,預期相關的EDA產(chǎn)業(yè)將會提出解決方案,故此困境并非難以解決的問題。



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