3月15日消息，據(jù)彭博社引述未具名消息人士報(bào)道稱，美國商務(wù)部接下來幾周內(nèi)即將宣布《芯片與科學(xué)法案》針對三星和臺積電補(bǔ)貼，預(yù)計(jì)臺積電將獲得超過50億美元的補(bǔ)貼款，而三星將獲得60億美元的補(bǔ)貼款。

根據(jù)之前的資料顯示，臺積電在2020年宣布美國在亞利桑州建設(shè)一座5nm晶圓廠之后，2022年12月，臺積電在其亞利桑那州的晶圓廠一期項(xiàng)目召開首批機(jī)臺進(jìn)廠典禮上，宣布將制程升級為4nm，同時臺積電宣布啟動二期工程，預(yù)計(jì)于2026年開始生產(chǎn)3nm制程技術(shù)。兩期工程總投資金額激增至400億美元。

三星則在2021年宣布在得克薩斯州泰勒郡（Taylor）新廠投資170億美元建一座5nm晶圓廠，就在三星現(xiàn)有奧斯?。ˋustin）廠附近。

顯然，臺積電在美國的投資金額超過了三星投資金額的1倍多，那么為何三星獲得的補(bǔ)貼會比臺積電要高出10億美元呢？

消息人士說法，三星接受美國聯(lián)邦政府補(bǔ)助同時，還承諾重金加碼投資美國。目前不清楚三星何處額外投資。

英特爾已經(jīng)斥200億美元擴(kuò)建亞利桑那州晶圓廠，并投資35億美元升級新墨西哥州工廠，隨后還在俄亥俄州投資200億美元興建大型晶圓廠，承諾“在未來十年內(nèi)可能增長到高達(dá) 1000 億美元”，預(yù)計(jì)該新廠有望成為全球最大的芯片工廠。但由于芯片市場放緩，以及聯(lián)邦資金投入緩慢，英特爾俄亥俄州工廠的竣工已經(jīng)推遲到了2026年。

最新的傳聞顯示，美國政府考慮將在下周宣布補(bǔ)助英特爾超過100億美元，將是美國芯片法案的最大補(bǔ)貼。

編輯：芯智訊-林子