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        可加工5納米芯片,尼康宣布開發(fā)新一代ArF浸入式光刻機(jī),面向尖端半導(dǎo)體制造

        發(fā)布人:旺材芯片 時間:2021-10-25 來源:工程師 發(fā)布文章
        尼康(Nikon) 近日宣布,目前正在開發(fā)下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻機(jī),它將提供卓越的疊加精度和超高吞吐量,以支持最關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備的制造。產(chǎn)品銷售計劃于2023 年開始。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX) 的加速,迫切需要非常快速地處理和傳達(dá)大量數(shù)據(jù)。為了滿足這些要求,高性能半導(dǎo)體勢在必行,半導(dǎo)體器件技術(shù)正在不斷發(fā)展,同時關(guān)注電路圖案的小型化和3D器件結(jié)構(gòu)的開發(fā)。

        NSR-S636E 具有增強型在線對準(zhǔn)站(iAS),它是集成在涂布機(jī)/顯影器單元和光刻掃描儀之間的芯片預(yù)測量模塊。S636E和 iAS 利用復(fù)雜的多點對準(zhǔn)測量和高級校正功能,使設(shè)備制造商能夠?qū)崿F(xiàn)3D 設(shè)備結(jié)構(gòu)所需的嚴(yán)格疊加精度,同時最大限度地提高浸入式光刻機(jī)的生產(chǎn)力。NSR-S636E非常適合尖端半導(dǎo)體制造,包括邏輯和存儲設(shè)備、CMOS圖像傳感器應(yīng)用等。關(guān)于NSR-S636E的更多參數(shù)還沒有公布,但是從其上一代S635E宣稱的已經(jīng)可以生產(chǎn)5nm芯片來看,S636E應(yīng)該至少是可以更加高效的生產(chǎn)5納米芯片了,這個對于我國買不到ASML EUV光刻機(jī)來說,不失為一個很好的選擇。



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