中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>

    1. <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>

      1. <xmp id="3hn2b"></xmp>

      2. 首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> euv

        EUV微影前進(jìn)7nm制程,5nm仍存在挑戰(zhàn)

        •   EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示,實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。   極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示,實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
        • 關(guān)鍵字: EUV  7nm  

        4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET

        •   晶圓代工之戰(zhàn),7nm制程預(yù)料由臺積電勝出,4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱,三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備,又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術(shù),目前看來似乎較占上風(fēng)。   Android Authority報(bào)導(dǎo),制程不斷微縮,傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限,無法解決更精密的曝光顯像需求,必須改用波長更短的EUV, 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程,EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時,就會率先采用EUV,這有如讓三星在6nm以下的競
        • 關(guān)鍵字: 4nm  EUV  

        ?沒有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」?

        • 一時之間,仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿,沒有EUV就無法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢?
        • 關(guān)鍵字: EUV  5nm  

        EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向,通快加緊布局

        •   近日,TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時重點(diǎn)提及極紫外光刻,也就是我們常說的EUV。他認(rèn)為,EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對世界的重要影響。   Peter Leibinger   “如果我們無法實(shí)現(xiàn)EUV突破,摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示:“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè),智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運(yùn)作方式。”   什么是EUV?   極紫外光刻(Ex
        • 關(guān)鍵字: TRUMPF  EUV  

        EUV面臨的問題和權(quán)衡

        •   新的光刻工具將在5nm需要,但薄膜,阻抗和正常運(yùn)行時間仍然存在問題。   Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù),但這個談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前,仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。   EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段。   如今,GlobalFoundries,英特爾,三星和臺積電相互競爭,將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
        • 關(guān)鍵字: EUV  

        Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠商提供關(guān)鍵性的半導(dǎo)體材料

        •   Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導(dǎo)體制造趨勢的見解,內(nèi)容涵蓋前端和后端的材料,以及次世代制造的流程步驟?! 〗袢盏南M(fèi)性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)、高效能運(yùn)算 (HPC) 和汽車應(yīng)用皆依賴封裝為小型尺寸的半導(dǎo)體裝置,其提供更多效能與功能,同時產(chǎn)熱更少且操作時更省電。透過摩爾定律推動前端流程開發(fā),領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  EUV   

        張忠謀:臺積電南京廠明年下半量產(chǎn)

        •   臺積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進(jìn)機(jī)典禮,由董事長張忠謀親自主持,大陸中央及地方貴賓云集,顯示對臺積電南京投資案重視。   海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶   張忠謀表示,大陸集成電路在中國制造,臺積電可助一臂之力。 南京廠預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn),陸媒預(yù)估中國海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶。   工程師已陸續(xù)由臺灣進(jìn)駐   今年上半年臺積電工程師已經(jīng)陸續(xù)由臺灣進(jìn)駐南京廠協(xié)助建廠事宜,8月16奈米大型機(jī)臺陸續(xù)透過華航包機(jī),由臺灣運(yùn)往南京祿口機(jī)場,而南京市政府為了迎接重量級貴賓,加快浦口
        • 關(guān)鍵字: 臺積電  EUV  

        臺積30周年:半導(dǎo)體八巨頭將同臺,庫克沒來

        •   晶圓代工龍頭臺積電將在今年10月23日盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇,以及于國家音樂廳舉辦音樂會。 臺積電30周年慶活動將由當(dāng)天下午舉行的半導(dǎo)體論壇揭開序幕,由董事長張忠謀親自主持,將邀請包括高通、博通、輝達(dá)(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、蘋果等重量級客戶及合作伙伴, 與張忠謀一起暢談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來10年展望。   臺積電今年歡度30周年,活動當(dāng)天將盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇,由董事長張忠謀親自主持,與談人包括了NVIDIA執(zhí)行長黃仁勛、高通執(zhí)行長Steve Mollenko
        • 關(guān)鍵字: 臺積電  EUV  

        7nm大戰(zhàn)在即 買不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦?

        • 對于7nm制程工藝,三星和臺積電兩大晶圓代工領(lǐng)域巨頭都早已入手布局以便爭搶IC設(shè)計(jì)業(yè)者們的訂單。
        • 關(guān)鍵字: 7nm  EUV  

        KLA-Tencor宣布推出針對光學(xué)和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產(chǎn)品線

        •   今天,KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產(chǎn)品線。自從1978年公司推出第一臺檢測系統(tǒng)以來,KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應(yīng)商,新的FlashScan產(chǎn)品線宣告公司進(jìn)入專用空白光罩的檢驗(yàn)市場。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統(tǒng),用于工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)過程中的缺陷檢測,此外,光罩制造商(“光罩廠”)為了進(jìn)行光罩原料檢測,設(shè)備監(jiān)控和進(jìn)程控制也需要購買該檢測系統(tǒng)。 FlashScan系統(tǒng)可以檢查針對光學(xué)或極紫外(EUV)光刻的空白光罩?!?/li>
        • 關(guān)鍵字: KLA-Tencor  EUV   

        首先采用EUV光刻工藝 三星半導(dǎo)體代工優(yōu)劣勢分析

        •   張忠謀曾比喻說:“三星是一只700磅的大猩猩”,表示它十分強(qiáng)悍。然而在現(xiàn)階段的代工業(yè)中三星尚是“新進(jìn)者”,需要時間的積累。   01、引言   據(jù)IC Insight公布的今年Q2數(shù)據(jù),三星半導(dǎo)體依158億美元,同比增長46.5%,超過英特爾而居首。   全球半導(dǎo)體三足鼎立,英特爾、臺積電、三星各霸一方,近期內(nèi)此種態(tài)勢恐怕難以有大的改變,但是一定會此消彼長,無論哪家在各自領(lǐng)域內(nèi)都面臨成長的煩惱。   然而在三家之中三星謀求改變的勢頭最猛,而臺積電
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

        EUV需求看俏 ASML頻傳捷報(bào)

        •   全球最大芯片光刻設(shè)備市場供貨商阿斯麥 (ASML) 公布最新2017第二季財(cái)報(bào)。ASML表示,由于不論邏輯芯片和DRAM客戶都積極準(zhǔn)備將EUV導(dǎo)入芯片量產(chǎn)階段,EUV光刻機(jī)目前第二季已累積27臺訂單總計(jì)28億歐元。   ASML 第二季營收凈額 (net sales)21億歐元,毛利率(gross margin)為45%。在第二季新增8臺EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺,總值高達(dá)28億歐元。   ASML預(yù)估2017第三季營收凈額(net sales)約為22億歐元,毛
        • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  

        EUV在手天下我有 ASML二季度表現(xiàn)亮眼

        •   全球最大芯片光刻設(shè)備市場供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財(cái)報(bào)。ASML第二季營收凈額21億歐元,毛利率為45%。在第二季新增8臺EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺,總值高達(dá)28億歐元。   預(yù)估2017第三季營收凈額約為22億歐元,毛利率約為43%。因?yàn)槭袌鲂枨蠛偷诙镜膹?qiáng)勁財(cái)務(wù)表現(xiàn),ASML預(yù)估2017全年?duì)I收成長可達(dá)25%。   ASML總裁暨執(zhí)行長溫彼得指出:“ASML今年的主要營收貢獻(xiàn)來自內(nèi)存芯片客戶,尤其在DRAM市場需求的驅(qū)動下,這部分的
        • 關(guān)鍵字: EUV  ASML  

        三星領(lǐng)先臺積電引入7納米EUV技術(shù),今年代工市場欲超車聯(lián)電

        •   據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,7月11日,韓國三星電子在首爾舉行的說明會上,向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù),從2018年開始量產(chǎn)。此次說明會上,三星展示了發(fā)展藍(lán)圖,記載了決定性能好壞的電路線寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示,采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計(jì)劃從2018年開始接單,5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率,7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實(shí)現(xiàn)商用化,而EUV是
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

        延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

        •   臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù),以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂,但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比,EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。   每一季的臺積電法說會上,張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會對臺下觀眾做一專門的報(bào)告,法人代表對于EUV的導(dǎo)入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來發(fā)展甚至
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  
        共214條 12/15 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 »

        euv介紹

        在半導(dǎo)體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

        熱門主題

        EUV    樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473