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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> euv

        三星促使EUV制程技術(shù)走紅,遵循摩爾定律方向發(fā)展

        •   繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組,并宣布未來經(jīng)營(yíng)策略將著重在成熟制程之后,格芯也在新執(zhí)行長(zhǎng)Tom Caulfield就任半年多后,于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發(fā),并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對(duì)成熟的制程服務(wù)上?! ∫隕UV工藝是半導(dǎo)體7nm工藝的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)  眾所周知,目前半導(dǎo)體領(lǐng)域,7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。而7nm工藝是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折,這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵,引入EUV工藝可以大幅提升性能,縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過程,節(jié)省時(shí)間和成本?! 〔贿^引入EU
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

        5nm技術(shù)指日可待,EUV技術(shù)有重磅突破

        •   全球一號(hào)代工廠臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破,一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作,二是5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)。今年4月開始,臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn),蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造,但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)?! 《酉聛淼牡诙?nm工藝(CLNFF+/N7+),臺(tái)積電將首次應(yīng)用EUV,不過僅限四個(gè)非關(guān)鍵層,以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn),也借
        • 關(guān)鍵字: 5nm  EUV  

        從7nm到3nm GAA,三星為何激進(jìn)地采用EUV?

        • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用,因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒,但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  3nm   

        拚不過對(duì)手 英特爾放棄搶推EUV?

        •   引領(lǐng)技術(shù)開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定,極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn),但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel),似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商?! ≡请娮庸こ處煹氖袌?chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示,英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV,該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難,因此其7納米制程還得上好幾年,何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問題。  在此同時(shí),三星(S
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  EUV  

        Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率,已獲ASML認(rèn)證

        •   業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克:ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒,用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的,已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證,用于NXE:3400B等產(chǎn)品。  隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM),對(duì)EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
        • 關(guān)鍵字: Entegris  EUV  ASML  

        李在镕正式回歸,三星半導(dǎo)體是否大舉投資引關(guān)注

        • 先前李在镕涉入政治關(guān)說丑聞的負(fù)面影響尚未完全消除,設(shè)法恢復(fù)各界對(duì)三星的信賴也是李在镕須解決的課題。
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

        EUV、3nm、GAA首次亮相,三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)

        •   為進(jìn)一步提升在中國(guó)市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,6月14日,三星電子在中國(guó)上海召開 “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF),這是SFF首次在中國(guó)舉行,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力可見一斑?! ”敬握搲希请娮泳A代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)部部長(zhǎng)、副社長(zhǎng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊(duì),介紹了晶圓代工事業(yè)部升級(jí)為獨(dú)立業(yè)務(wù)部門一年來的發(fā)展成果,以及未來發(fā)展路線圖和服務(wù),首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計(jì)劃,以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線圖,
        • 關(guān)鍵字: EUV,晶圓  

        進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng),臺(tái)積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)

        •   聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片,代號(hào)為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場(chǎng)的動(dòng)作,臺(tái)面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身,但臺(tái)面下,已決定采用臺(tái)積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計(jì)量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案,卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺(tái)積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能,同時(shí)向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕,在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺(tái)積電7納米制程技術(shù)猶疑之間,聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠(chéng),而面對(duì)高通、蘋果專利訟訴
        • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電,EUV  

        中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過《瓦森納協(xié)定》的?

        •   據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱,中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī),價(jià)值1.2億美元。目前,業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí),必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm,甚至5nm時(shí)代。今天,中芯國(guó)際方面對(duì)觀察者網(wǎng)表示,對(duì)此事不做評(píng)論。  消息稱,這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國(guó)際去年全部?jī)衾麧?rùn)的設(shè)備,將于2019年前交付?! SML發(fā)言人對(duì)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》表示,該企業(yè)對(duì)包括中國(guó)客戶在內(nèi)
        • 關(guān)鍵字: 中芯  EUV  

        中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問題…

        •   據(jù)知情人士透露,中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備,在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距,確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。   中芯國(guó)際的首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML,價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代,此舉仍突顯了該公司幫助提升中國(guó)本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志,也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購(gòu)買該設(shè)備,以確保
        • 關(guān)鍵字: 中芯  EUV  

        2019年換機(jī)指南:手機(jī)芯片的重磅升級(jí)!

        • 種種跡象表明,2018年將是移動(dòng)處理器、半導(dǎo)體等行業(yè)迎來轉(zhuǎn)折的一年,多種技術(shù)經(jīng)歷多年沉淀后會(huì)在今年完成應(yīng)用,然后在2019年爆發(fā)。
        • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  芯片  EUV  

        ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國(guó)EUV的發(fā)展,面臨諸多挑戰(zhàn)

        •   載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機(jī)載具,并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。   我們主要研究EUV的配套技術(shù),例如EUV的載具以及EUV的配套光罩,是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí),EUV的重要性逐漸凸顯出來,而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年,家登精密一直專心做一件事,那就是載具的配套研究。去年,我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,這是一個(gè)值得自豪的成績(jī)。未來,7nm工藝逐漸向5nm升級(jí),技術(shù)的研究會(huì)越來越困難
        • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  

        三星7nm EUV工廠破土動(dòng)工:新驍龍將在這里誕生

        • 2017年,三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元,創(chuàng)下歷史新高,這主要得益于其存儲(chǔ)芯片的巨大需求。
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

        臺(tái)積電要出售?張忠謀:不慌,價(jià)好就賣

        • 在前段時(shí)間,臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在即將退休的時(shí)候卻意外表示,其實(shí)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的企業(yè)本來就不應(yīng)該死守,假如價(jià)錢夠好把臺(tái)積電賣掉也無妨。
        • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  EUV  

        日媒:三星最高利潤(rùn)背后的危機(jī)感

        •   韓國(guó)三星電子2017財(cái)年(截至2017年12月)合并營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)下歷史新高,但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%,其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍,約合3.5萬億日元,顯著依賴市場(chǎng)行情,因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長(zhǎng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)下,將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財(cái)年將成為試金石。   三星整體的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為53.65萬億韓元,時(shí)隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中,半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)銷量堅(jiān)挺,
        • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  
        共214條 11/15 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 »

        euv介紹

        在半導(dǎo)體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長(zhǎng)的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長(zhǎng)可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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