隧道磁阻技術(shù)（TMR）及其應(yīng)用簡(jiǎn)介

• 　　一、概述　　1、磁阻概念：材料的電阻會(huì)因外加磁場(chǎng)而增加或減少，電阻的變化量稱為磁阻(Magnetoresistance)。物質(zhì)在磁場(chǎng)中電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng)。同霍爾效應(yīng)一樣，磁阻效應(yīng)也是由于載流子在磁場(chǎng)中受到洛倫茲力而產(chǎn)生的。從一般磁阻開始，磁阻發(fā)展經(jīng)歷了巨磁阻(GMR)、龐磁阻(CMR)、異向磁阻(AMR)、穿隧磁阻(TMR)、直沖磁阻(BMR)和異常磁阻(EMR)。　　2、磁阻應(yīng)用：磁阻效應(yīng)廣泛用于磁傳感、磁力計(jì)、電子羅盤、位置和角度傳感器、車輛探測(cè)、GPS導(dǎo)航、儀器儀表、磁存儲(chǔ)(磁卡、
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