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Vishay的新款5050外形尺寸汽車級IHLP? 電感器的工作溫度可達+155度C
- 器件符合AEC-Q200標準，高度僅為5mm節(jié)省發(fā)動機艙的占用空間
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Vishay推出汽車級IHLP?電感器可在發(fā)動機艙155度高溫條件下連續(xù)工作
- 賓夕法尼亞、MALVERN —2019年3月29日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴展其汽車級IHLP?薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 °C，高度2mm，節(jié)省汽車發(fā)動機艙環(huán)境下的使用空間。?日前推出的器件符合AEC-Q200標準，適合用于DC/DC轉(zhuǎn)換器儲能，頻率可達2 MHz。同時，電感器在自諧振頻率 (SR
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應(yīng)用電力電子展會(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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Vishay推出靜態(tài)dV/dt為1000 V/μs的新型光耦
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款全新系列采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝的光可控硅輸出光耦---VOT8026A和VOT8123A，進一步擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達800 V，靜態(tài)dV/dt為1000 V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380
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Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級可靠性
- 2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm封裝M
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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
- 2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。 日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1
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Vishay的T55系列聚合物鉭式電容器新增超薄外形尺寸
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，公司已擴充其T55系列vPolyTan?表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19) 尺寸器件?！ ∪涨鞍l(fā)布的Vishay Polytech電容器高度比標準V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1 mm，提高了封裝密度，可用于設(shè)計更薄的成品。這款器件適用于計算機、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備、固態(tài)硬盤和無線收發(fā)器的電源管理、電池解耦和儲能?！ 55系列的外
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器，提高逆變器級工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門控設(shè)備提供所需驅(qū)動電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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