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vishay intertechnology 文章進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區(qū)

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si7157DP

Vishay擴(kuò)大應(yīng)用于高溫環(huán)境的表面貼裝多層陶瓷片式電容器

VishayIntertechnology,Inc.宣布，擴(kuò)大其用于高溫應(yīng)用的VJX8R系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)。為節(jié)...
關(guān)鍵字： Vishay 高溫環(huán)境電容器

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay Si8851EDB 導(dǎo)通電阻

Vishay推出高集成度、高效率、高開關(guān)頻率的5A同步降壓穩(wěn)壓器

2013 年 12 月23 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出可編程開關(guān)頻率高達(dá)4MHz的新款5A器件---SiP12108，擴(kuò)大其microBUCK?集成式同步降壓穩(wěn)壓器系列。
關(guān)鍵字： Vishay 穩(wěn)壓器 SiP12108

Vishay發(fā)布消費(fèi)品遙控器的小型紅外接收器

　　日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，對用于消費(fèi)類產(chǎn)品中紅外遙控應(yīng)用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進(jìn)行了升級。TSOP36…系列的最小發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到0.12mW/m2，靈敏度比前一代器件高20%，可在有紅外3D電視信號和其他噪聲的情況下使用，并提高了對這些信號和噪聲的濾光功能。　　今天發(fā)布的這些器件采用新一代集成電路，提供了5個針對短編碼和長突發(fā)編碼的自動增益控制(AGC)版本。TSOP361..和TSOP
關(guān)鍵字： Vishay 紅外接收器

Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強(qiáng)型卡扣式功率鋁電容器

2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強(qiáng)型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源而設(shè)計的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
關(guān)鍵字： Vishay 電容器 159 PUL-SI

Vishay 推出可用于更高亮度指示牌的照明和控制應(yīng)用的新款LED

2013 年 12 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的光電子事業(yè)部推出采用PLCC-2封裝的最新產(chǎn)品---VLM.334…，該系列LED能夠處理更高的驅(qū)動電流，從而提高發(fā)光強(qiáng)度。
關(guān)鍵字： Vishay LED

Vishay發(fā)布用于新能源應(yīng)用的不銹鋼制動/撬棒電阻

2013 年 12 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列不銹鋼制動/撬棒電阻---ULDCR電阻，電阻可承受3.46MJ的脈沖能量和12kA的脈沖電流，適用于新能源和其他重載應(yīng)用。Vishay還可以根據(jù)定制指標(biāo)提供更高脈沖負(fù)載能力的版本。
關(guān)鍵字： Vishay ULDCR 電阻

Vishay發(fā)布用于消費(fèi)類產(chǎn)品遙控器的新款小型紅外接收器

2013 年 12 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，對用于消費(fèi)類產(chǎn)品中紅外遙控應(yīng)用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進(jìn)行了升級。TSOP36…系列的最小發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到0.12 mW/m2，靈敏度比前一代器件高20%，可在有紅外3D電視信號和其他噪聲的情況下使用，并提高了對這些信號和噪聲的濾光功能。
關(guān)鍵字： Vishay 紅外接收器

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)

2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Vishay為PRA系列高精度薄膜片式電阻陣列增添業(yè)內(nèi)最小外形尺寸

2013 年 12 月6 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，為其PRA系列高精度薄膜表面貼裝卷包片式電阻陣列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8個不同歐姆值的電阻，是業(yè)內(nèi)尺寸最小的此類器件，具有0.01%的嚴(yán)格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
關(guān)鍵字： Vishay PRA 電阻

Vishay新款薄膜MELF電阻具有業(yè)內(nèi)最高水平的精度和穩(wěn)定性

2013 年 12 月3 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是針對對高可靠性和穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求的應(yīng)用而設(shè)計的，是業(yè)內(nèi)首款在標(biāo)準(zhǔn)0207外形尺寸內(nèi)實現(xiàn)±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF電阻。
關(guān)鍵字： Vishay UMB MELF電阻

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻

Vishay新款SMD ESD保護(hù)二極管采用SMF封裝

2013 年 11 月26 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用低外形SMF封裝的新系列表面貼裝ESD保護(hù)二極管---SMFxxA系列器件。該系列器件可用于便攜式電子產(chǎn)品，在10/1000μs條件下可承受200W的高浪涌。
關(guān)鍵字： Vishay SMF ESD

Vishay將PHP系列精密薄膜片式電阻的外形尺寸擴(kuò)展至0603到0805

2013 年 11 月25 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0603和0805外形精巧的新器件，功率等級分別達(dá)到0.375W和0.675W，擴(kuò)展其PHP系列精密高功率薄膜片式電阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和達(dá)到±25ppm/℃絕對低值的TCR，容差低至±0.1%，可在-55℃～+125℃溫度范圍內(nèi)工作。
關(guān)鍵字： Vishay 薄膜片式電阻

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