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Vishay推出采用三種標準芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
- 日前，Vishay推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進薄膜技術的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性，甚至在長期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此，這可在汽車電子設備、工業(yè)電子設
- 關鍵字： Vishay
Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業(yè)及醫(yī)療應用的便攜式電子設備中節(jié)省板面空間，以及提供 ESD 保護。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
- 關鍵字： Vishay EMI 濾波器
Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
- 關鍵字： Vishay Z箔 電阻
Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
- 關鍵字： Vishay Power Metal Strip 電阻
Vishay推SMD紅外接收器模塊TSOP85..系列
- VishayIntertechnology,Inc.宣布推出具有Vishay最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝(SMD)紅外接收器模塊。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、數(shù)據(jù)傳輸及光障應用中實現(xiàn)遠距離操作，主要用于需要超薄、超小型元件的便攜式系統(tǒng)。典型的終端產(chǎn)品包括小型手持式設備，例如筆記本電腦、數(shù)碼相機與視頻設備、音樂與視頻播放器及導航設備。 在光模塊中，縮小封裝尺寸將減小透鏡大小，從而可降低敏感度以及縮短作用距離。但TSOP85..系列器件通過添加另一個透鏡及光敏二極管抵消了這種影響
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 Vishay SMD 紅外接收器模塊 遙控技術
Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關，這些器件將高開關速度與高信號帶寬進行了完美結(jié)合，可用于眾多開關應用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關，每個均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個參數(shù)是低失真音頻信號開關的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
- 關鍵字： Vishay SPST CMOS 開關
Vishay 推出超高電容范圍新型HE3液體鉭高能電容器
- Vishay 推出在市場上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3 采用含 SuperTan 技術的獨特封裝設計，可在高能應用中提高可靠性及性能。 Vishay 的 HE3 專門針對高可靠性航空電子及軍用設備中的能量存儲及脈沖功率應用而進行了優(yōu)化，該器件采用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環(huán)境中使用。 該設計采用可提高可靠性及性能的獨特雙密封技術，并且具有 3300F～72000F 的電容范圍，在所有液體鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容。通過利用 Vishay 業(yè)經(jīng)驗證
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 Vishay HE3 液體鉭高能電容器 電容器
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