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Vishay發(fā)布助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

- 日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本,該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻,展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。 傳統(tǒng)上,設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機,以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
- 關鍵字: Vishay MOSFET DC-DC 轉(zhuǎn)換器
Vishay推出全新官方網(wǎng)站
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布經(jīng)過重新設計的公司網(wǎng)站www.vishay.com,以便更好地服務客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對主頁的產(chǎn)品類別加以重新組織,增強搜索系統(tǒng)和改進產(chǎn)品選擇信息,新網(wǎng)站使用戶能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設計的網(wǎng)站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務和支持、設計工具以及公司信息。 新主頁的產(chǎn)品類別非常清晰,包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
- 關鍵字: Vishay 設計工具
Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護陣列
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護陣列,可保護PC和便攜式消費電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應用。 新的保護陣列在0V時具有16pF的低容值,在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝,在生產(chǎn)過程中很容易進行處理,0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護,保護等級達到pe
- 關鍵字: Vishay ESD保護 USB2.0
Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術的先進性

- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產(chǎn)品,滿足特定用戶的需求,Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
- 關鍵字: Vishay Power Metal Strip 分流電阻
Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi),這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半:在4.5V、2
- 關鍵字: Vishay MOSFET TrenchFET
vishay intertechnology介紹
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