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	v-nand閃存
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        關于Micron和Intel 20nm 64-Gbit MLC NAND閃存的深度探究
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • NAND閃存在半導體市場上的成功主要得益于手機和平板電腦市場的持續(xù)迅猛發(fā)展以及高性能固態(tài)硬盤(SSDs)取代硬盤驅動器的廣泛應用。美光與英特爾去年共同宣布，通過20 nm制造工藝技術結合突破性的單元架構概念，可以制造出僅由一組簡單芯片組成的TB容量NAND閃存。
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        • 關鍵字：
                        美光  英特爾  NAND閃存  UBM                          
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        Intel將向美光出售合資NAND閃存廠股份
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Intel同意與美光科技擴大就閃存芯片領域的合資企業(yè)合作，提高雙方關系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達成的協(xié)議，美光將為Intel供貨NAND閃存產(chǎn)品，而Intel則將向美光出售價值6億美元的兩家合資晶圓廠股份。
　　協(xié)議規(guī)定，Intel將首先接收美光一半的股份購買資金，另外一半將寄放在美光，可能會按照供貨協(xié)議退還或用于未來采購。該協(xié)議還擴大了雙方在NAND閃存共同開發(fā)項目上的合作計劃，以覆蓋新興存儲技術。
　　該交易預計將在今年上半年完成。
　　Intel和美光已經(jīng)在NAND閃存芯片制造領域合作了幾
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        • 關鍵字：
                        Intel  NAND閃存                          
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        第四季度全球NAND閃存出貨環(huán)比下滑8.6%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。
　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
　　集邦科技指出，
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        • 關鍵字：
                        三星電子  NAND閃存                          
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        各大SSD廠商趁硬磁盤缺貨危機拼命促銷SSD
        
                                                            
          
                    	
        • 　　由于22nm NAND閃存工藝已經(jīng)非常成熟，加上硬磁盤缺貨危機尚未緩解，感恩節(jié)促銷季才過不到兩個月，各大SSD廠商再次瘋狂促銷SSD，意圖讓更多消費者嘗試SSD，體驗SSD操作無延遲感的優(yōu)勢。
　　主流品牌SSD最近均有20%以上的折扣或返款促銷，折后價格接近或低于1美元/GB。比如，intel 320 80GB返款后80美金，OCZ 120GB返款后100美金等。
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        • 關鍵字：
                        SSD  NAND閃存                          
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        Marvell推出第一款Native PCIe控制器
        
                                                            
          
                    	
        • 集成芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布推出Marvell? 88NV9145。該器件是全世界第一款模塊化可擴展的Native PCIe SSD控制器，并已開始批量生產(chǎn)。88NV9145控制器作為PCIe SSD的核心部件，可以為客戶在容量以及性能上逐步擴容提供靈活的配置。
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        • 關鍵字：
                        Marvell  NAND閃存  88NV9145                          
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        蘋果轉售NAND閃存大賺：成本10.7美元賣100美元
        
                                                            
          
                    	
        • 　　投資公司Bernstein Research今天公布一份報告，談及蘋果采購NAND閃存的情況。蘋果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差別就在于NAND閃存容量不同，32GB版本高100美元。不過根據(jù)Bernstein Research的研究發(fā)現(xiàn)，蘋果在采購NAND閃存時有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相當于10.72美元。
　　由此看來，蘋果的利潤戰(zhàn)略相當成功。讓分析師奇怪的是蘋果戰(zhàn)略如此成功，為什么競爭者不仿效。
　　報告中寫道：“2011年4季度，
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        • 關鍵字：
                        蘋果  NAND閃存                          
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        IMFT推出20納米制程的NAND閃存
        
                                                            
          
                    	
        • 　　日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進入量產(chǎn);128GB NAND閃存預計于2012年進行量產(chǎn)。
　　20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個單元含有多少位(bit)。128GB NAND
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        • 關鍵字：
                        IMFT  NAND閃存                          
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        三星有可能在中國建芯片廠
        
                                                            
          
                    	
        • 　　日前消息稱，三星計劃投資約35億美元，在中國開辦芯片工廠，并于2013年投入營運。據(jù)該公司一份監(jiān)管檔中表示，工廠將采用先進的20納米技術，生產(chǎn)NAND閃存芯片，但并未透露該座新工廠的地址和具體投資金額。
　　如果建廠計劃獲得中國官方批準，該工廠將是三星繼美國德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠，三星還計劃在中國建立平板顯示屏幕生產(chǎn)基地。
　　韓國新韓投資公司分析師金永燦預計，三星將為中國新廠投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。
　　三星表示，已經(jīng)就在外國投建生產(chǎn)基地向韓國政府提交申請，后
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        • 關鍵字：
                        三星  NAND閃存                           
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        20nm最強制程 三星造出8Gb相變內存顆粒
        
                                                            
          
                    	
        • 　　來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內存顆粒，采用移動設備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
　　新的內存顆粒最大的亮點是采用目前存儲芯片最先進的20nm制程工藝打造，幾乎達到了包括相變內存在內的所有DDR內存以及NAND閃存的極限。
　　相變內存結合了DDR與NAND閃存的特點，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點;根據(jù)內存制造材料的每個晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉換來存儲數(shù)據(jù)。
　　預
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        • 關鍵字：
                        三星  NAND閃存  內存                           
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        蘋果代工：三星、臺積電一個都不想少 
        
                                                            
          
                    	
        • 　　市場上有關蘋果打算把其ARM-basediPad處理器的代工廠三星給拉下，或至少在下一代處理器A6把三星給換掉的傳言滿天飛。臺積電是呼聲甚高的替代人選。但除此之外，最近開始切入代工業(yè)務的英特爾，也成為被討論的對象之一。
　　
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        • 關鍵字：
                        蘋果  NAND閃存                          
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        NAND閃存高級制程技術量產(chǎn)后才有意義
        
                                                            
          
                    	
        • 　　盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級制程投入量產(chǎn)使用才較有實際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級制程節(jié)點轉移時，所需的產(chǎn)品驗證時間越來越長，便是這一看法的明證之一。
　　
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        • 關鍵字：
                        鎂光  NAND閃存                          
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        英特爾與美光新加坡合資NAND閃存廠投產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　英特爾官員日前表示，英特爾和美光聯(lián)手在新加坡投資30億美元興建的NAND閃存廠周四開始投產(chǎn)。
　　之前由于爆發(fā)全球性金融危機，加上內存產(chǎn)品價格低迷，英特爾和美光剛開始就推遲了興建這座工廠的計劃，不過雙方于2010年又把這項計劃重新提上日程。雙方表示，由于進展順利，工廠提前完工?！?/li>
                    	                        
        • 關鍵字：
                        英特爾  NAND閃存                          
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        iPhone5或將采用東芝24納米NAND閃存
        
                                                            
          
                    	
        • 東芝于本周二發(fā)布了24納米工藝SmartNAND系列閃存。而這一產(chǎn)品很有可能將應用于蘋果iPhone5中。單條Sm...
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        iPhone5  24納米  NAND閃存                          
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        Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術在Elpida的廣島廠進行量產(chǎn)。
　　按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結構下可以作到尺寸更小，同時功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。
　　Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結合一起銷售移動消費類產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場的NAND，以及繼
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        • 關鍵字：
                        Elpida  NAND閃存                          
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        東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存
        
                                                            
          
                    	
        • 　　東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領域內迄今為止最為先進的制造技術。
　　東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。
　　東芝表示，新工藝將進一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強數(shù)據(jù)傳輸速度。
　　在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
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        • 關鍵字：
                        東芝  NAND閃存  24nm                          
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