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	ultra c sic
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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        • 關鍵字：
                        世強  SiC                          
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        業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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        • 關鍵字：
                        Cree  SiC                          
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        SiC功率模塊關鍵在價格，核心在技術
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　日前，碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
　　世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時
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        • 關鍵字：
                        SiC  SiC                          
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        EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。
　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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        • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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        矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
　　

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　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點擊放大)
　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
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        • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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        ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務報告
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。
　　第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。
　　縱觀電子行業(yè)，在IT相關市場方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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        專利設計發(fā)功　ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 　　SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。
　　羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產(chǎn)。
　　羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC-MOSFET                          
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        高精度的功率轉換效率測量
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。
　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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        • 關鍵字：
                        SiC  GaN  電流傳感器                          
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        一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵!
　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：
　　i. 低導通電阻RDS
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        • 關鍵字：
                        SiC Mosfet  DC-DC                          
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        世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結構的SiC-MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。
　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC-MOSFET                          
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        ROHM（羅姆）舉辦“2015 ROHM科技展”　將于全國5個城市巡回展出
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動。在展示ROHM最新產(chǎn)品和技術的同時，還包括了由半導體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。
　　“2015 ROHM科技展”以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應用層面出發(fā)，介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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        SiC功率器件的技術市場走勢
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
　　近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。
　　各種功率器件的比較
　　功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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        • 關鍵字：
                        SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503                          
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        LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
　　

 
　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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        • 關鍵字：
                        LED  SiC  MOSFET                          
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        ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。
　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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        • 關鍵字：
                        ROHM  半導體  SiC                          
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        SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。

　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所)
　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
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        • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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