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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

        羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

        • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

        羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

        • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

        SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

        • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

        碳化硅MOSFET晶體管的特征

        • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

        SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

        • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

        SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

        • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

        SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

        • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

        SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

        • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  

        什么是碳化硅?SiC的特性和特征

        • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  

        ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

        • 意法半導體(ST)作為全球領先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領域,在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級?;贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
        • 關鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

        ST第三代碳化硅技術問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

        • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
        • 關鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

        蘋果UltraFusion連接技術是如何實現(xiàn)史上最強PC芯片的?

        • 3月9日,蘋果發(fā)布了一款顛覆性的產(chǎn)品 —— M1 Ultra芯片,不管是宣傳上還是工藝上,都能夠看出蘋果對它寄予了厚望。M1 Ultra采用了蘋果創(chuàng)新性的UltraFusion封裝架構(gòu),通過兩顆M1 Max晶粒的內(nèi)部互連,打造出一款性能與實力都達到空前水平的SoC芯片,可為全新的Mac Studio提供令人震撼的算力,同時依然保持著業(yè)內(nèi)領先的能耗比水平。M1 Ultra性能如何?M1 Ultra支持高達128GB的高帶寬、低延遲統(tǒng)一內(nèi)存,晶體管數(shù)量達到了驚人的1140億個,每秒可運行高達22萬億次運算,提
        • 關鍵字: 蘋果  UltraFusion  芯片  M1 Ultra  

        電子行業(yè)簡評:蘋果召開春季發(fā)布會 IPHONESE與自研芯片M1MAX成為主角

        • 蘋果召開2022 年春季新品發(fā)布會發(fā)布了全新配色的iPhone 13和iPhone 13 Pro、全新iPhone SE、M1 Ultra 芯片以及Mac Studio 和Studio Display 共6 款新品。iPhone 13 和iPhone 13 Pro 將于本周五開始預定,3 月18 日發(fā)貨。  小屏旗艦新iPhone SE, 擴大 iPhone 系列價格區(qū)間 iPhone SE 3擴大iPhone 價格區(qū)間至中低價格帶,A15 芯片搭載和5G 支持是核心特色。根據(jù)Omdia 數(shù)據(jù),iPhon
        • 關鍵字: M1 Max  M1 Ultra 芯片  蘋果  

        蘋果發(fā)布“合二為一”芯片,華為公布“芯片疊加”的專利

        • 昨日凌晨的蘋果春季發(fā)布會上,蘋果發(fā)布了最強的 “M1 Ultra”芯片。在大會上,蘋果公布了 M1 Ultra 芯片很多牛逼的參數(shù),比如:晶體管數(shù)量1140億顆;20核CPU(16 個高性能內(nèi)核和 4 個高效內(nèi)核);最高64核GPU;32核神經(jīng)網(wǎng)絡引擎;2.5TB/s數(shù)據(jù)傳輸速率;800GB/s內(nèi)存帶寬;最高128GB統(tǒng)一內(nèi)存。M1 Ultra 是 Apple 芯片的又一個游戲規(guī)則改變者,它將再次震撼 PC 行業(yè)。通過將兩個M1 Max 芯片與我們的 UltraFusion 封裝架構(gòu)相連接,我們能夠?qū)?A
        • 關鍵字: 蘋果  M1 Ultra  chiplet  

        ST:發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

        • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
        • 關鍵字: ST  GaN  SiC  
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