中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>

    1. <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>

      1. <xmp id="3hn2b"></xmp>

      2. 首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

        新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭

        • 現(xiàn)在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會有一個顯著升級的攝像頭?,F(xiàn)在,三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機保護套的照片,看起來Note20 Ultra的相機集群將會非常龐大。通過對比可以看出大小的區(qū)別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設備,但攝像頭群似乎占據(jù)了手機寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動對焦元件替換了Time of Fl
        • 關鍵字: 三星G  alaxy Note20  Ultra  

        緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

        • 汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業(yè)部執(zhí)行副總裁
        • 關鍵字: SiC  電氣  

        聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

        • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
        • 關鍵字: 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  

        通用研發(fā)下一代半自動駕駛系統(tǒng)Ultra Cruise

        • 日前,通用汽車全球產(chǎn)品開發(fā)、采購和供應鏈執(zhí)行副總裁Doug Parks表示,該公司正在開發(fā)新一代半自動駕駛系統(tǒng),內(nèi)部代號為Ultra Cruise(超巡航)。
        • 關鍵字: 通用  Ultra Cruise  半自動駕駛系統(tǒng)  

        碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

        • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機會,電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構,例如電流連續(xù)
        • 關鍵字: SiC  UPS  

        ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器

        • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國上海市,以下簡稱“UAES公司”)的電動汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡稱“OBC”)。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
        • 關鍵字: OBC  SiC MOSFET  

        安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

        • 近日,推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
        • 關鍵字: SiC  WBG  

        相機成本高達107.50美元!三星Galaxy S20 Ultra物料成本曝光

        • 拆解機構TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機的物料成本分析。從圖表中可以看出,三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元,值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高,達到了107.50美元,此外驍龍865處理器芯片價值81美元,屏幕價值67美元,存儲元件價值44美元。獲悉,整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機元件由108MP主攝+48MP長焦+12MP超廣角+TOF四攝組成,其中包括一顆潛望式鏡頭,支持10X潛
        • 關鍵字: 相機  Galax  S20 Ultra  

        CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

        • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
        • 關鍵字: SiC  IPM  

        電機的應用趨勢及控制解決方案

        • 顧偉俊? (羅姆半導體(上海)有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師)摘? 要:介紹了電機的應用趨勢,以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域,各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應
        • 關鍵字: 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

        碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負

        • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
        • 關鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

        英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

        • 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
        • 關鍵字: SiC  MOSFET  

        如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

        • 在本文中,我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率,以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下,純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時,降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明,純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
        • 關鍵字: SiC  BEV  牽引逆變器  

        SK海力士沖擊16層堆疊內(nèi)存:1平方毫米打10萬個孔

        • SK海力士宣布,已經(jīng)與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術授權協(xié)議,獲得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術的授權。
        • 關鍵字: SK海力士  Invensas  DBI Ultra  

        ERNI推出全新線對板連接器系列

        • 近日,ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款,這為已經(jīng)很廣泛的線對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經(jīng)設計提供緊湊和可靠的連接,可承受強烈的振動,適合在惡劣環(huán)境中使用。其中的關鍵功能包括端子位置保證(TPA),用于在母連接器外殼中為壓接觸點提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷之外,這個輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動能力,比如汽車應用中發(fā)生的強振動。iBridge Ultra已根據(jù)汽車行業(yè)的USCAR-2和USCAR-21要求進行了測試,此外,這款牢固且緊湊
        • 關鍵字: ERNI  iBridge Ultra  
        共507條 22/34 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 » ›|

        ultra c sic介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ultra c sic!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ultra c sic的理解,并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473