super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術社區(qū)
減慢開關轉(zhuǎn)換時要謹慎

- 開關調(diào)節(jié)器中的快速開關瞬變是有利的,因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時,可以大幅提高開關調(diào)節(jié)器的效率。但是,快速開關轉(zhuǎn)換也會帶來一些負面影響。開關轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時,干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi),在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術,即使是極快的開關邊沿,也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉(zhuǎn)換,在開關節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
- 關鍵字: 開關 MOSFET
中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發(fā)展

- 最近,由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程,助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
- 關鍵字: 碳化硅 二極管 MOSFET
針對高耐用性和可靠性電源需求,意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
- 中國,2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關無源元件,即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護功能,MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲,包括原邊或副
- 關鍵字: 電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
每幀成本對比:AMD RX 5700顯卡性價比完勝三款Super N卡

- 昨晚,加量不加價的RTX 2080 Super顯卡發(fā)售解禁,得益于流處理器、核心頻率、顯存帶寬三位一體的提升,公版的整體性能綜合提升了7%,意味著RTX 2080可以正式退場了。在國內(nèi)外數(shù)不勝數(shù)的評測文章中,LR列出的一張圖很值得玩味,內(nèi)容是關于輸出每一幀所花費的成本,可以說是代表顯卡性價比非常直觀的指標?!度撤怄i2》1440P由于RTX 2080 Super保持了和RTX 2080相同的首發(fā)價,所以在相同游戲中平均輸出一幀所需的成本必然是降低了,本游戲中是從10.11美元減少為8.52美元。不過RTX
- 關鍵字: RX 5700RX 5700 XTRTX 2080 SUPERRTX 2060 SUPER
華為強力掃貨 手機、服務器用MOSFET急單聲聲催

- 中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒,華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨,熟悉功率元件業(yè)者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外,瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
- 關鍵字: 華為 MOSFET 中美貿(mào)易戰(zhàn)
2020年實現(xiàn) 通用升級Super Cruise系統(tǒng)
- 你可能聽說過Autopilot,這是特斯拉推出的先進駕駛輔助系統(tǒng),它結合了自適應巡航控制、前方碰撞警告和車道保持輔助等功能。還有另一個不太知名的自動駕駛輔助系統(tǒng)叫做Super Cruise,這是由凱迪拉克開發(fā)的,自兩年前首次亮相以來,Super Cruise只搭載了一款車型CT6。而在今年紐約車展上,凱迪拉克宣布將在第二款車型CT5上搭載,并計劃在2020年實現(xiàn)該系統(tǒng)的升級。
- 關鍵字: Autopilot 特斯拉 Super Cruise
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領域,ROHM始終在推動領先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質(zhì),并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
- 關鍵字: ROHM SiC MOSFET
600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機驅(qū)動以及EV充電樁。近日,該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?! 〈舜伍_發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術,實現(xiàn)了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比,輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外,通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
- 關鍵字: ROHM MOSFET
Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為領先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管,采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm),可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小,可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關電路,提供更高的功率密度設計?!?/li>
- 關鍵字: Diodes MOSFET
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