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	sic mosfet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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        • 關鍵字：
                        安森美  IGBT  SiC                          
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        MOSFET電路不可不知
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區(qū)。當MOSFET用作
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        • 關鍵字：
                        雷卯  MOSFET                          
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        SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC  MOSFET                          
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        德國博世收購美國TSI，全球半導體領域再添并購案
        
                                                            
          
                    	
        • 據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務。目前，博世和TSI公司已經達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節(jié)，且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業(yè)的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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        • 關鍵字：
                        博世  TSI  半導體  SiC                          
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        功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
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        • 關鍵字：
                        功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC                          
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        優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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        • 關鍵字：
                        SiC MOSFET  柵極驅動  安森美                          
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        SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級收購者？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 第三代半導體「愈演愈烈」。
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        • 關鍵字：
                        SiC  功率器件                          
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        ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
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        • 關鍵字：
                        ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET                          
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        適用于運輸領域的SiC：設計入門
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
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        • 關鍵字：
                        SiC  Microchip                          
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        Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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        • 關鍵字：
                        Diodes  碳化硅 MOSFET                          
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        基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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        • 關鍵字：
                        Infineon  S7 MOSFET  電源整流                          
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        同時實現業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節(jié)能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
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        • 關鍵字：
                        超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET                          
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        SiC MOSFET的短溝道效應
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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                        英飛凌  MOSFET                          
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        功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
        
                                                            
          
                    	
        • 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
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                        功率半導體  盛美上海  Ultra C SiC  襯底清洗                          
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        連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯生態(tài)壁壘物聯網讓我們曾經暢想的萬物互聯生活逐漸成為現實，但要將數以百億計的設備進行有效的互聯還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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                        Qorvo  Matter  SiC FET  UWB                          
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