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        科銳宣布與德?tīng)柛?萍奸_(kāi)展汽車(chē)SiC器件合作

        • 近日,科銳宣布與德?tīng)柛?萍迹―elphi Technologies PLC)開(kāi)展汽車(chē)碳化硅(SiC)器件合作。
        • 關(guān)鍵字: 科銳  德?tīng)柛?萍?/a>  SiC  

        SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體?

        •   王?瑩?(《電子產(chǎn)品世界》編輯,北京?100036)  SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示,2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大,正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV(電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē))。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。  不過(guò),制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格,主要原因有兩個(gè):襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會(huì)相應(yīng)地下降,羅姆等公司已經(jīng)有6英
        • 關(guān)鍵字: 201909  新一代功率半導(dǎo)體  SiC  

        SiC將達(dá)23億美元規(guī)模,技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

        • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大,正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV(電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē))。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過(guò),制約SiC發(fā)展的,最主要的是價(jià)格,主要原因有兩個(gè),一個(gè)是襯底,一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會(huì)相應(yīng)地下降,ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面,眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
        • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

        SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

        •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型,該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個(gè)機(jī)型?! OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車(chē)載市場(chǎng),ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì),并于2012年開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載充電器用的SiC肖特
        • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  MOSFET  

        安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

        •   2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
        • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC   

        集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

        •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長(zhǎng)8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年
        • 關(guān)鍵字: IGBT  SiC   

        碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)

        • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

        Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,可最大程度提高效率及安全性

        •   深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓,來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
        • 關(guān)鍵字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

        SiC市場(chǎng)趨勢(shì)及應(yīng)用動(dòng)向

        • 介紹了SiC的市場(chǎng)動(dòng)向,SiC市場(chǎng)不斷擴(kuò)大的原因,SiC技術(shù)及解決方案的突破,以及羅姆公司在SiC方面的特點(diǎn)。
        • 關(guān)鍵字: SiC  市場(chǎng)  應(yīng)用  汽車(chē)  201903  

        ST將收購(gòu)Norstel 55%股權(quán),擴(kuò)大SiC器件供應(yīng)鏈

        • 意法半導(dǎo)體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB公司簽署協(xié)議,收購(gòu)后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學(xué)分拆出來(lái),開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示,在交易完成之后,它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈,并為自己帶來(lái)一個(gè)重要的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。
        • 關(guān)鍵字: ST  Norstel  SiC  

        第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)?

        •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高,它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面,會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢?,SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?! ?shí)際上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  GaN  

        北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

        •   11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū),并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌。    該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)。    近年來(lái),以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
        • 關(guān)鍵字: 北汽新能源  羅姆半導(dǎo)體  SiC  

        羅姆為汽車(chē)、工業(yè)領(lǐng)域提供更多SiC解決方案

        • 羅姆(ROHM)作為一個(gè)日本企業(yè),很早便打入歐洲市場(chǎng),豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、值得信賴的產(chǎn)品品質(zhì)和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆(ROHM)的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上,我們也見(jiàn)到了很多羅姆(ROHM)的得意之作。
        • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  羅姆  

        使用SiC技術(shù)攻克汽車(chē)挑戰(zhàn)

        •   摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持,實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車(chē)相關(guān)的內(nèi)容,重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
        • 關(guān)鍵字: SiC  WInSiC4AP  

        ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

        •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))  近年來(lái),由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì),1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受
        • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  
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