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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
東芝面向車載應用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅(qū)動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
- 關鍵字： IC QFN MOSFET
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
- 關鍵字： MOSFET TIM IGBT
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
- 關鍵字： MOSFET UPS PWM
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
- 關鍵字： EV OBC MOSFET
三星Galaxy Tab S7曝光：后置雙攝 配備SPen
- 近日，有爆料人士曝光了三星全面旗艦平板產(chǎn)品三星Galaxy Tab S7的渲染圖。外觀方面，從渲染圖上看，三星Galaxy Tab S7背部采用了金屬材質(zhì)，頂部和底部均有白色天線條，這也意味著S7應該支持5G網(wǎng)絡。正面則是類似iPad Pro的超窄邊框四等邊設計，這也是目前高端平板產(chǎn)品的流行趨勢。值得一提的是，三星Galaxy Tab S7搭載了后置雙攝，而且背部也專門設計了一段凹槽用來放置磁吸式SPen，換言之，S7將邊標配SPen，這也是三星產(chǎn)品的標志性賣點之一了。至于配置，參考S6，驍龍865應該是
- 關鍵字： 三星 Galaxy Tab S7 SPen
Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間
- Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
- 關鍵字： MOSFET PoL
東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關IPD
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動器開關IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側(cè)開關。作為一種電子開關，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
- 關鍵字： 柵極驅(qū)動器 MOSFET IPD ECU
NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
- 關鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關鍵字： ?Nexperia MOSFET
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