Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應用的成本、電力與空間。

DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。

PowerDI^? 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴大其應用范圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能，降低整個解決方案的運作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。

 DMN3012LEG 整合兩個 N 信道的增強模式 MOSFET，非常適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器的設計。此組件使用橫向擴散 MOS (LDMOS) 制程，結(jié)合快速導通和間斷動作，Q1 延遲時間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大導通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時支持 5V 閘極驅(qū)動。