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新技術(shù)將打破射頻干擾難捕獲的僵局

新技術(shù)將打破射頻干擾難捕獲的僵局-從商業(yè)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備到軍事通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)爭(zhēng)(EW)系統(tǒng)，射頻干擾無(wú)處不在。由于干擾不可預(yù)測(cè)，要解決這一問(wèn)題十分棘手。不過(guò)一種稱(chēng)為無(wú)間斷捕獲的RF錄存技術(shù)，對(duì)解決這一問(wèn)題可能會(huì)特別有用。
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利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解決方案

利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解決方案-射頻(RF)和微波放大器在特定偏置條件下可提供最佳性能。偏置點(diǎn)所確定的靜態(tài)電流會(huì)影響線(xiàn)性度和效率等關(guān)健性能指標(biāo)。雖然某些放大器是自偏置，但許多器件需要外部偏置并使用多個(gè)電源，這些電源的時(shí)序需要加以適當(dāng)控制以使器件安全工作。
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解讀RF放大器的輸出限制

解讀RF放大器的輸出限制-這篇博文是非射頻（RF）與射頻放大器規(guī)格對(duì)比系列博文的第三篇。我在之前的兩篇博文中討論了噪聲和雙音失真。今天，我們將討論一個(gè)同樣重要的話(huà)題-放大器的輸出限制。對(duì)于任何應(yīng)用中的放大器，輸出電壓的擺動(dòng)范圍以及可供給負(fù)載的電流量都有一個(gè)限制。
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無(wú)線(xiàn)射頻技術(shù)原理及電路設(shè)計(jì)技巧

無(wú)線(xiàn)射頻技術(shù)原理及電路設(shè)計(jì)技巧-RF（射頻）專(zhuān)指具有一定波長(zhǎng)可用于無(wú)線(xiàn)電通信的電磁波。電磁波可由其頻率表述為：KHz（千赫），MHz（兆赫）及GHz（千兆赫）。其頻率范圍為VLF（極低頻）也即10-30KHz至EHF（極高頻）也即30-300GHz。
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無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)多層次生態(tài)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)解析

無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)多層次生態(tài)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)解析-隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴和便攜式設(shè)備的發(fā)展，消費(fèi)者開(kāi)始厭倦雜亂的電纜和需要頻繁充電的電池。無(wú)線(xiàn)充電的優(yōu)勢(shì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于擺脫線(xiàn)纜的束縛。當(dāng)前市場(chǎng)上各種各樣的近場(chǎng)、遠(yuǎn)場(chǎng)充電無(wú)線(xiàn)技術(shù)，其中包括感應(yīng)式、諧振式、RF、超聲及紅外線(xiàn)充電，這些技術(shù)都需要遵循不同的標(biāo)準(zhǔn)，也需要不同程度的折中。隨著人們對(duì)無(wú)線(xiàn)世界的向往，預(yù)計(jì)充電技術(shù)將出現(xiàn)急劇增長(zhǎng)。
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你不得不知的8大降低RF電路寄生信號(hào)的設(shè)計(jì)

你不得不知的8大降低RF電路寄生信號(hào)的設(shè)計(jì)-通過(guò)電路板布局評(píng)測(cè)，我們可發(fā)現(xiàn)可能發(fā)射或接收雜散RF音調(diào)的結(jié)構(gòu)。要跟蹤每一條線(xiàn)路，有意識(shí)地明確其回流路徑，確保它能夠與線(xiàn)路并行，特別是要徹底檢查過(guò)渡。
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汽車(chē)元件中EMI抗干擾測(cè)試分析

汽車(chē)元件中EMI抗干擾測(cè)試分析-多年以來(lái)，電磁干擾（EMI）效應(yīng)一直是現(xiàn)代電子控制系統(tǒng)中備受關(guān)注的一個(gè)問(wèn)題。尤其在今天的汽車(chē)工業(yè)中，車(chē)輛采用了許多關(guān)鍵的和非關(guān)鍵（critical and non-critical）的車(chē)載電子模塊，例如引擎管理模塊、防抱死系統(tǒng)、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向功能模塊（electrical power steering functions）、車(chē)內(nèi)娛樂(lè)系統(tǒng)和熱控制模塊。
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IF/RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的數(shù)字信號(hào)處理

IF/RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的數(shù)字信號(hào)處理-在現(xiàn)代數(shù)字移動(dòng)通信系統(tǒng)中，發(fā)射和接收路徑（包括下面描述中的反饋接收路徑）可根據(jù)信號(hào)特性分為三個(gè)主要電路級(jí)：射頻級(jí)、模擬中頻級(jí)和數(shù)字中頻級(jí)。圖1是典型發(fā)射機(jī)和接收機(jī)的框圖。射頻級(jí)處理射頻信號(hào)，在當(dāng)前LTE標(biāo)準(zhǔn)中，其信號(hào)頻率范圍一般是700 MHz到3.8 GHz。
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格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢(shì)?！　「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現(xiàn)更高的電
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格芯CEO：FD-SOI是中國(guó)需要的技術(shù)

　　5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！　?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場(chǎng)，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺(tái)推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?！　￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的毫米波和射頻/模擬解決方案

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車(chē)?yán)走_(dá)、WiGig、衛(wèi)星通信以及無(wú)線(xiàn)回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案。　　該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺(tái)，該平臺(tái)將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實(shí)現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對(duì)性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?！　≌缃谠诿绹?guó)所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時(shí)能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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掀起PCB板的“紅蓋頭” 看你的“干擾”美不美

　　有人說(shuō)過(guò)，世界上只有兩種電子工程師：經(jīng)歷過(guò)電磁干擾的和沒(méi)有經(jīng)歷過(guò)電磁干擾的。伴隨著PCB走線(xiàn)速遞的增加，電磁兼容設(shè)計(jì)是我們電子工程師不得不考慮的問(wèn)題。面對(duì)一個(gè)設(shè)計(jì)，當(dāng)進(jìn)行一個(gè)產(chǎn)品和設(shè)計(jì)的EMC 分析時(shí)，有以下5 個(gè)重要屬性需考慮：　　(1) 關(guān)鍵器件尺寸：產(chǎn)生輻射的發(fā)射器件的物理尺寸。射頻(RF) 電流將會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，該電磁場(chǎng)會(huì)通過(guò)機(jī)殼泄漏而脫離機(jī)殼。PCB 上的走線(xiàn)長(zhǎng)度作為傳輸路徑對(duì)射頻電流具有直接的影響?！　?2) 阻抗匹配：源和接收器的
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一塊PCB板上如何安置RF電路和數(shù)字電路這兩尊大神？

　　單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的應(yīng)用，采用合適的微控制器和天線(xiàn)并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無(wú)線(xiàn)通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上，應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，無(wú)線(xiàn)遙控和遙測(cè)系統(tǒng)，無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)以及無(wú)線(xiàn)安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域?！　? 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾　　如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨(dú)工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個(gè)電源供電一起工作，整個(gè)系統(tǒng)很可能就會(huì)不穩(wěn)定。這
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Yole:RF功率組件未來(lái)五年復(fù)合增長(zhǎng)率9.8%

　　射頻功率組件市場(chǎng)將迎來(lái)一新波成長(zhǎng)潮。 Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，未來(lái)5年5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)對(duì)基站需求的增長(zhǎng)，將為RF功率組件市場(chǎng)注入新的成長(zhǎng)動(dòng)能;預(yù)估2016~2022年全球RF功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值，將由15億美元攀升至25億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)9.8%。　　新的無(wú)線(xiàn)電網(wǎng)絡(luò)將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會(huì)為芯片供應(yīng)商帶來(lái)巨大的商機(jī)，尤其是RF功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售商。預(yù)計(jì)包括基站和無(wú)線(xiàn)回程在內(nèi)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，將占據(jù)整體市場(chǎng)的半壁江山。2016~2022年期間，
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