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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點？
- 身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機(jī)事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù)，我在最近這幾個星期所收集到的隨機(jī)
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手機(jī)RF和混合信號集成設(shè)計
- 一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對包含多標(biāo)準(zhǔn)(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉(zhuǎn)換接收器和發(fā)射器架構(gòu)變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術(shù)取得長足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。 一個典型的蜂窩收發(fā)器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構(gòu)選擇包括直接轉(zhuǎn)換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉(zhuǎn)換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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RF和混合信號設(shè)計的藝術(shù)與科學(xué)
- 在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設(shè)計一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數(shù)字世界實現(xiàn)無縫對接，當(dāng)前無處不在的移動環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。 當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲器IC約占這個市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動著這些IC
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實現(xiàn)模擬/RF設(shè)計復(fù)用？ADI實驗室電路開始大顯身手
- 在電子設(shè)計中，模擬/RF設(shè)計一直是最讓設(shè)計師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計，但 是，要讓器件運轉(zhuǎn)正常，設(shè)計師需要更多實際電路的評估和測試，這方面需要時間和經(jīng)驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒有什么辦法讓設(shè)計師可以加快這方 面的設(shè)計呢?或者能實現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實驗室電路給出了一些探索。 “ADI的實驗室電路不同于參考設(shè)計，是更接近實際應(yīng)用的 電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時表示，
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RF電路與天線的EMC研究
- 當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計完成之后，其性能不一定就會完全達(dá)標(biāo)，其中會導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數(shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 處理干擾問題是做設(shè)計工作必須的、更是射頻設(shè)計、預(yù)研工作重點之一。在此簡單談?wù)勎覀儗ι漕l方面電磁干擾的理解與認(rèn)識。 電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
- 關(guān)鍵字： RF EMC
千兆采樣ADC確保直接RF變頻
- 隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過程節(jié)點，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來了全新的系統(tǒng)解決方案。 最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無法提供超過7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
- 關(guān)鍵字： ADC RF 轉(zhuǎn)換器 LVDS FPGA
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