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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設(shè)計(jì)人員可能面臨的一些電源問(wèn)題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問(wèn)題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來(lái)越密集地應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家庭自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用中，透過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時(shí)間（對(duì)于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來(lái)優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來(lái)越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)通信。物聯(lián)網(wǎng)裝置的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎沒(méi)有止境，每天都會(huì)考慮新的裝置和使用情況。
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半導(dǎo)體渠道商：庫(kù)存降低速度慢于預(yù)期

IT之家 2 月 27 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，半導(dǎo)體庫(kù)存問(wèn)題不僅 IC 設(shè)計(jì)廠商需要面對(duì)，下游 IC 渠道商為顧及長(zhǎng)期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫(kù)存去化速度還是比原本估計(jì)慢。IC 渠道廠商分析，市場(chǎng)目前的短單是否是曇花一現(xiàn)，通貨膨脹、美聯(lián)儲(chǔ)加息狀況、俄烏沖突以及國(guó)內(nèi)是否會(huì)有報(bào)復(fù)性買(mǎi)盤(pán)需求等是觀察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫(kù)存去化狀況不如預(yù)期，假設(shè)原本估計(jì)的庫(kù)存去化速度是進(jìn) 0.5 個(gè)月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

小耳朵衛(wèi)星天線(xiàn),在于一些偏遠(yuǎn)地區(qū)常見(jiàn),用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號(hào)非常微弱，所以我們需要一個(gè)拋物面天線(xiàn)來(lái)聚焦信號(hào)，還需要一個(gè)高頻頭，也稱(chēng)為L(zhǎng)NB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線(xiàn)的焦點(diǎn)上來(lái)收集信號(hào)。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號(hào)經(jīng)過(guò)放大和下變頻，把Ku或C波段信號(hào)變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機(jī),每只LNB只能用于某一波段，因?yàn)镾、C和KU波段需要不同的波導(dǎo)管。也有一些類(lèi)型是用于圓極化和線(xiàn)極化信號(hào)接收的，它們主要在
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瑞薩電子宣布與AMD攜手展示面向5G有源天線(xiàn)系統(tǒng)的完整RF和數(shù)字前端設(shè)計(jì)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線(xiàn)系統(tǒng)（AAS）無(wú)線(xiàn)電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實(shí)地驗(yàn)證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數(shù)字前端OpenRAN無(wú)線(xiàn)電（O-RU）參考設(shè)計(jì)相搭配，包含RF開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器，和前置驅(qū)動(dòng)器，提供了一套完整的解決方案，以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)需求。該參考平臺(tái)將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動(dòng)通信大會(huì)AMD展臺(tái)（2展廳，#2M61展位）進(jìn)行展示。全新5G設(shè)計(jì)平
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數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配

相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國(guó)防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國(guó)防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。遷移到近元素?cái)?shù)字波束成形存在許多挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)范圍
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自適應(yīng)RF前饋放大器的設(shè)計(jì)

現(xiàn)代無(wú)線(xiàn)通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線(xiàn)性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類(lèi)狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)失真?，F(xiàn)代無(wú)線(xiàn)通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線(xiàn)性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類(lèi)狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)
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14年后全球半導(dǎo)體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達(dá)19%

以存儲(chǔ)芯片廠商為代表，包括美光、SK海力士等在內(nèi)，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢(qián)一般用于擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實(shí)際上，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的日子都不太好過(guò)。日前，統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新研報(bào)，預(yù)測(cè)明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據(jù)悉，這是繼2008~2009金融危機(jī)以來(lái)的最大降幅，當(dāng)時(shí)的降幅一度高達(dá)40%?？勺鰧?duì)比的是，半導(dǎo)體資本支出在過(guò)去今年迎來(lái)了高速增長(zhǎng)，2021年增長(zhǎng)35%達(dá)到1531億美元，今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)19%達(dá)到1817億美元，創(chuàng)下歷史新高。
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RF解密--什么是射頻衰減器？

問(wèn)題：什么是射頻衰減器？如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器？答案：衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過(guò)衰減器的信號(hào)強(qiáng)度。這種元件一般用于平衡信號(hào)鏈中的信號(hào)電平、擴(kuò)展系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應(yīng)用設(shè)計(jì)中實(shí)施多種校準(zhǔn)技術(shù)。?簡(jiǎn)介本文延續(xù)之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對(duì)其類(lèi)型、配置和規(guī)格提出一些見(jiàn)解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括：“為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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RF揭秘: 散射參數(shù)及其類(lèi)型

問(wèn)題：什么是S參數(shù)？它有哪些主要類(lèi)型？答案：S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡(luò)的基本特征，其主要類(lèi)型有小信號(hào)、大信號(hào)、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文
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RF揭秘：散射參數(shù)及其類(lèi)型

本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件”，探討了RF信號(hào)鏈中發(fā)揮作用的頻率產(chǎn)生器件的主要類(lèi)型。問(wèn)題:什么是S參數(shù)？它有哪些主要類(lèi)型？答案:S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡(luò)的基本特征，其主要類(lèi)型有小信號(hào)、大信號(hào)、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件
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如何選擇出色電源解決方案，以提高RF信號(hào)鏈相位噪聲性能

如今的射頻 (RF) 系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜。高度的復(fù) 雜性要求所有系統(tǒng)指標(biāo)（例如嚴(yán)格的鏈接和噪聲預(yù)算）達(dá)到最佳性能。確保整個(gè)信號(hào)鏈的正確設(shè)計(jì)至關(guān)重要。而信號(hào)鏈中，有一個(gè)部分經(jīng)常會(huì)被忽視，那就是直流電源。它在系統(tǒng)中占據(jù)著重要地位，但也會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響。RF 系統(tǒng)的一個(gè)重要度量是相位噪聲，根據(jù)所選的電源解決方案，這個(gè)指標(biāo)可能降低。本文研究電源設(shè)計(jì) 對(duì) RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測(cè)試數(shù)據(jù)證明，選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB，這是優(yōu)化 RF 信號(hào)鏈性能的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字： 202207 電源 ADI RF 相位噪聲

西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺(tái)，大幅擴(kuò)展混合信號(hào) IC 驗(yàn)證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號(hào)仿真平臺(tái)可加速混合信號(hào)驗(yàn)證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗(yàn)證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號(hào)設(shè)計(jì) 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺(tái)，基于原有的　Symphony 混合信號(hào)驗(yàn)證能力，進(jìn)一步擴(kuò)展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗(yàn)證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
關(guān)鍵字：西門(mén)子混合信號(hào) IC 驗(yàn)證

打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪(fǎng)人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件