rf-ic 文章進(jìn)入rf-ic技術(shù)社區(qū)

Zarlink上市RF收發(fā)器SoC面向人體醫(yī)療器件

加拿大卓聯(lián)半導(dǎo)體(ZarlinkSemiconductorLimited)上市了面向植入人體的醫(yī)療器件的RF收發(fā)器SoC（系統(tǒng)芯片）“ZL70101”。主要用于心臟起搏器、心臟除顫器、藥泵和生理監(jiān)測(cè)儀。配備最高數(shù)據(jù)處理速度為800kbit/秒的MAC（MediaAccessController）。利用MICS（MedicalImplantCommunicationService）使用的402～405MHz頻帶工作。新產(chǎn)品配備有“wake-up”信號(hào)接收器，將睡眠模式下的消耗電流控制
關(guān)鍵字： RF Zarlink 收發(fā)器 SoC ASIC 醫(yī)療電子芯片

沖電氣推出熱量少全高清液晶電視驅(qū)動(dòng)器IC

作為支持1920
關(guān)鍵字： IC 沖電氣電視驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502

立锜科技(RichtekTechnology)針對(duì)單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應(yīng)用推出創(chuàng)新設(shè)計(jì)的充電IC─RT9502。該產(chǎn)品提供了簡(jiǎn)單的外部線路架構(gòu)、整合性的MOSFET、自動(dòng)選擇ADAPTER和USB雙輸入來(lái)源，且充電指示燈號(hào)不會(huì)因?yàn)槟玫綦姵囟a(chǎn)生微亮的錯(cuò)誤信號(hào)，具備簡(jiǎn)單的充電電流設(shè)定，在簡(jiǎn)化了整機(jī)電路和軟件設(shè)計(jì)的同時(shí)，更提供高達(dá)18V的過(guò)電壓保護(hù)。目前便攜式的電子產(chǎn)品已經(jīng)走向輕薄短小的趨勢(shì)，而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢(shì)的應(yīng)用，RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
關(guān)鍵字： IC RT9502 立锜消費(fèi)電子消費(fèi)電子

IR推出低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC，這些應(yīng)用包括電動(dòng)工具、低壓伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)園藝設(shè)備，以及像起重機(jī)、高爾夫球車和滑板車的電動(dòng)車。 IRS200x系列半橋、高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機(jī)
關(guān)鍵字： 200V IC IR 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達(dá)到60dB。內(nèi)建的保護(hù)功能有過(guò)電流及過(guò)熱保護(hù)，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護(hù)。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
關(guān)鍵字： IC 低電壓電源技術(shù) 電源穩(wěn)壓模擬技術(shù) 盛群模擬IC 電源

Vishayn通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動(dòng)器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1,000pF的負(fù)載。
關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來(lái)將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng)，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來(lái)
關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程

遠(yuǎn)翔雙組外推DC/DC同步整流IC具保護(hù)功能

遠(yuǎn)翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC，將補(bǔ)齊產(chǎn)品系列現(xiàn)階段從5A以上使用的負(fù)載規(guī)格；這顆編號(hào)FP5148的IC采用散熱型低腳數(shù)SOP16及QFN-16L小型封裝，IC本身具備較寬的操作電壓范圍，并可由使用者自行調(diào)整PWM工作頻率和電源軟激活時(shí)間，在保護(hù)機(jī)制上針對(duì)電源異常部分則提供有過(guò)電流、短路及欠壓等保護(hù)功能，必要時(shí)亦可藉由HousekeepingIC直接關(guān)閉IC來(lái)達(dá)成待機(jī)或斷電保護(hù)狀態(tài)。遠(yuǎn)翔科技并于該季另提供有1A-3A負(fù)載規(guī)格使用外推PMOS雙組差相型I
關(guān)鍵字： DC/DC IC 保護(hù) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 遠(yuǎn)翔

盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達(dá)到60dB。內(nèi)建的保護(hù)功能有過(guò)電流及過(guò)熱保護(hù)，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護(hù)。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
關(guān)鍵字： IC 低電壓電源技術(shù) 模擬技術(shù) 盛群模擬IC 電源

半導(dǎo)體制程微細(xì)化技術(shù)再突破從65nm到45nm的微觀神話

半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢(shì)1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復(fù)雜度提升，芯片數(shù)目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后，半導(dǎo)體微細(xì)化制程技術(shù)日新月異，結(jié)構(gòu)尺寸從微米推向深亞微米，進(jìn)而邁入納米時(shí)代。半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢(shì)也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結(jié)構(gòu)，10年前IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)投入線路設(shè)計(jì)與掩膜制程的費(fèi)用，僅占總體成本的13%，半導(dǎo)體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進(jìn)入深亞微米制程后，IC線路設(shè)計(jì)及掩膜成本便大幅提升到62%。當(dāng)芯片結(jié)構(gòu)體尺寸小于100納米時(shí)，光學(xué)光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵：硅晶制程
關(guān)鍵字： 0704_A 半導(dǎo)體單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊 IC 制造制程消費(fèi)電子

東芝今年開(kāi)始生產(chǎn)閃存芯片采用43納米制程

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞4月21日?qǐng)?bào)道，東芝最快將在本會(huì)計(jì)年度開(kāi)始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片，以降低生產(chǎn)成本。東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國(guó)三星電子。報(bào)道指出，由于芯片價(jià)格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。日經(jīng)新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。報(bào)道稱，三星電子計(jì)劃今年開(kāi)始采用50納米制程。
關(guān)鍵字： 43納米東芝閃存芯片消費(fèi)電子 IC 制造制程消費(fèi)電子

IC：摩爾定律驅(qū)動(dòng)下集成度和復(fù)雜度加速提高

設(shè)計(jì)技術(shù)：面向SoC設(shè)計(jì)成主流面向SoC的設(shè)計(jì)方法將成主流由于電子整機(jī)系統(tǒng)不斷向輕、薄、小的方向發(fā)展，集成電路功能也由單一向復(fù)雜轉(zhuǎn)變，并且向系統(tǒng)集成發(fā)展的方向已經(jīng)明確。目前，SoC電路已經(jīng)能在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)信號(hào)采集、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)、處理和輸入/輸出等功能。由此可見(jiàn)，將數(shù)字電路、存儲(chǔ)器、CPU、DSP、射頻電路、模擬電路、傳感器甚至微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等集成在單一芯片上，實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整系統(tǒng)功能的SoC設(shè)計(jì)將成為未來(lái)集成電路設(shè)計(jì)的主流。未來(lái)SoC芯片的設(shè)計(jì)將以IP復(fù)用為基礎(chǔ)，把已優(yōu)化的子系統(tǒng)甚至系統(tǒng)級(jí)模塊納
關(guān)鍵字： IC 摩爾定律消費(fèi)電子消費(fèi)電子

北京集成電路設(shè)計(jì)業(yè)規(guī)模居國(guó)內(nèi)第一

　　記者從16日在京舉行的“集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)—封裝測(cè)試論壇”了解到，北京集成電路設(shè)計(jì)業(yè)規(guī)模穩(wěn)居國(guó)內(nèi)第一。　　北京市科委提供的數(shù)據(jù)顯示，2006年，北京集成電路設(shè)計(jì)業(yè)以近60億元的銷售總額穩(wěn)居國(guó)內(nèi)第一，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其他省市。在最近3年的全國(guó)十大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)排行榜上，北京每年均有4家企業(yè)入圍。　　目前北京的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)已超過(guò)100家，龍芯、眾志、星光系列等一批“中國(guó)芯”都屬于國(guó)家重大創(chuàng)新成果。在北京市科委支持下，北京華大泰思特半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)公司和北京自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)研究所共同承擔(dān)的“北京集成電路設(shè)
關(guān)鍵字： IC 集成電路設(shè)計(jì)

富士通推出汽車導(dǎo)航與數(shù)字儀表板用大規(guī)模集成電路

富士通微電子針對(duì)新一代汽車器件開(kāi)發(fā)了一種系統(tǒng)大規(guī)模集成電路，僅在一顆芯片中就集成了各種功能，如二維/三維圖像、汽車通訊控制系統(tǒng)、程序保護(hù)功能和各種多媒體接口。該產(chǎn)品可處理來(lái)自汽車導(dǎo)航器件或數(shù)字儀表板的數(shù)據(jù)和車載網(wǎng)絡(luò)的信息，從而在提供舒適駕駛環(huán)境的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。另外，把這些特點(diǎn)集成在一顆芯片上還可以減少系統(tǒng)成本。當(dāng)前，汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)，尤其是汽車導(dǎo)航器件，在全球范圍內(nèi)的市場(chǎng)正在不斷擴(kuò)大，因此為實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步發(fā)展，有必要減少額外的系統(tǒng)成本并提高顯示圖像質(zhì)量。同時(shí)，就儀表板系統(tǒng)而言（如儀器簇），
關(guān)鍵字： IC 富士通汽車電子汽車電子

NI發(fā)布11款基于PXI的RF開(kāi)關(guān)模塊

美國(guó)國(guó)家儀器有限公司（National Instruments，簡(jiǎn)稱NI）發(fā)布了11款新的RF開(kāi)關(guān)，將50 和75 Ohm 應(yīng)用的PXI RF開(kāi)關(guān)模塊的選擇增多了一倍。這些模塊包括4x1、4x1匹配、4x1雙向、8x1雙向多路復(fù)用器以及四重SPDT和雙匹配SPDT通用配置。有了這些產(chǎn)品，工程師們可以基于性價(jià)比和改善信號(hào)完整性的考慮，自主選擇優(yōu)化他們的RF開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)。6款新的2.5 GHz 75 ohm模塊是NI為高頻率視頻應(yīng)用（例如置頂盒測(cè)試等）推出的第一批產(chǎn)品。5款2.7 GHz 50 ohm模塊是NI現(xiàn)
關(guān)鍵字： NI RF 電源技術(shù) 開(kāi)關(guān)模塊模擬技術(shù) 模塊