rf-cmos 文章 進入rf-cmos技術(shù)社區(qū)
干貨分享：工程師教你如何設(shè)計D類放大器
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動頻帶有限的揚聲器時頻率
- 關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS
對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)
- 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
- 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
什么是TTL電平、CMOS電平？兩者的區(qū)別
- TTL電平信號對于計算機處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別。 什么是TTL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數(shù)據(jù)表示采用二進制規(guī)定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計算機處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！ TL電平信號對于計算機處理器控制
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報導(dǎo)，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計和電子設(shè)計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
選擇RF和微波濾波器的八個竅門
- 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識的設(shè)計師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無線器件確定濾波器參數(shù)時，急需復(fù)習(xí)射頻基礎(chǔ)知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術(shù)規(guī)格要求方面的基本要素，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不能通過“測試”，結(jié)果產(chǎn)品又得重新開始設(shè)計，導(dǎo)致代價昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準(zhǔn)確確定濾波器參數(shù)，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿足客戶的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和功能。事實上，這種知識有助于在提高產(chǎn)品在市場上的成功機會的同時，控制生產(chǎn)費用?！ 幕A(chǔ)開始 在當(dāng)今無線領(lǐng)域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
- 關(guān)鍵字： RF 微波濾波器
使用CMOS集成電路需要注意的幾個問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題。 1、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
降低RF電路寄生信號的八個設(shè)計規(guī)則
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進程，而且還可提高工作日程的可預(yù)見性。 規(guī)則1：接地通孔應(yīng)位于接地參考層開關(guān)處 流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時，回流也必須獲得路徑。 圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時，回
- 關(guān)鍵字： RF 寄生信號
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬美元的計劃重點是在標(biāo)準(zhǔn)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng)。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
安森美半導(dǎo)體推出先進的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
改善RF信號質(zhì)量的電源線噪聲對策
- 本文以改善RF的信號質(zhì)量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動終端的PA電源線的噪聲對策方法?！ ∫灾悄苁謾C為首的移動無線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發(fā)射)，尋求改善PA的電源質(zhì)量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無線通信中，以國際標(biāo)準(zhǔn)(ITU)為首，3GPP(無線通信標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu))，以及各運營商都對不必要的輻射的范圍值設(shè)定了嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。因此，我們有必要通過PA的電源線的噪聲
- 關(guān)鍵字： RF 噪聲
歷時兩年,清芯華創(chuàng)完成對OmniVision收購
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng)等提出收購邀約到完成并購歷時長達兩年，而在消息公布同時，豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場的交易。 豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達克證券市場暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
- 關(guān)鍵字： OmniVision CMOS
rf-cmos介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
rf-cmos電路
rf-cmos相關(guān)帖子
rf-cmos資料下載
rf-cmos專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473