- C6000系列DSP Flash二次加載技術研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統中有著廣泛的應用。由于程序在DSP內部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內部運行。由于C6000系列DSP均沒有
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技術 研究 加載 Flash 系列 DSP C6000
- 據韓國媒體報導，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的單板計算機嵌入式系統,1 引言 在實際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個與目標板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件?！ ? 系統介紹 采
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嵌入式 系統 計算機 單板 Flash 支持
- 摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發(fā)，對SPI接口在設計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數據的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設計原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計,引言
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理的、針對嵌入式應用
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系統 設計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 業(yè)內領先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布公司榮獲由機頂盒市場龍頭企業(yè)同洲電子（Coship）授予的“2010年度供應商”獎項。2007年，Spansion公司獲得同洲電子最佳合作伙伴獎；2009年及2010年，Spansion公司成為獲得“年度供應商”稱號的獨家閃存供應商。這項殊榮授予Spansion公司體現了公司秉承為顧客提供創(chuàng)新產品和全球領先服務的宗旨。
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Spansion NOR
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內存模塊廠表示，合計整個5月現貨報價跌幅達20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認同威剛董事長陳立白的基調，預期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
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三星 NAND Flash
- flash接口電路的實現,0引言
我們在進行嵌入式系統設計的過程中，根據需求，要設計出特定的嵌入式應用系統，而嵌入式應用系統的設計包含硬件系統設計和軟件系統設計兩個部分，并且這兩部分設計是互相關聯、密不可分的，嵌入式應用系
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實現 電路 接口 flash
- 據IHS iSuppli公司的研究，包括蘋果iPad等流行平板設備在內的多種應用，正在增加使用嵌入NOR閃存，該市場2011年預計增長8%，達到39.6億個?！ ?/li>
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NOR 平板電腦
- 摘要：為了解決目前記錄系統容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現了多片低速FLASH時高速數據的存儲，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存儲
- 0 引言 計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統容量從過去的幾KB存儲空間，到現在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
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FLASH NAND 儲存 測試系統
- ICP是一種在實際的目標電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標板上將芯片卸下來再編程實現用戶程序的修改。這種方法適用于產品開發(fā)和代碼升級。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
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在線 編程 Flash MC68HC908JB8 USB 總線 基于
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND Flash
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [
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