中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>
  • 

      <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>
        

        2. <xmp id="3hn2b"></xmp>
        3. 


        
	
  	
        
	
        
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
        




        
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	na euv
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎
        
                                                            
          
                    	
        • 當半導體工藝發(fā)展到10nm水平時，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        EUV  10nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。

　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

　　在幾十年來，芯片技術得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        EUV  摩爾定律                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        ASML提升新EUV機臺技術生產(chǎn)效率
        
                                                            
          
                    	
        • 　　微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。
　　半導體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        ASML  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
        
                                                            
          
                    	
        • 　　極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。
　　ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。
　　ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        ASML  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        全球半導體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長。
　　臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術，希望在10nm附近全面趕上英特爾。
　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。
　　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        半導體代工  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Intel：14nm進展順利 一兩年后量產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。
　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。
　　而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
　　Rattner指出，Intel
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Intel  晶圓  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術
        
                                                            
          
                    	
        • 而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        臺積電  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ
        
                                                            
          
                    	
        • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        100  0.1  KHZ  NA                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
        
                                                            
          
                    	
        • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        EUV  晶圓                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業(yè)化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        光刻  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        光源問題仍是EUV光刻技術中的難題
        
                                                            
          
                    	
        • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
　　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        英特爾10nm設計規(guī)則初定  EUV技術恐錯失良機
        
                                                            
          
                    	
        • 　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產(chǎn)。
　　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        英特爾  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        通向14/15nm節(jié)點的技術挑戰(zhàn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)
　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        EUV  節(jié)點技術                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        次世代微影技術主流之爭　
        
                                                            
          
                    	
        • 　　目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。
　　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        微影技術  EUV                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        GlobalFoundries投入EUV技術　4年后量產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。
　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        臺積電  EUV  晶圓代工                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共220條
	14/15		|‹
			«
																																																																					6																7																8																9																10																11																12																13																14																15							»
			
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
	
        

        

        
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
        
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473