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交錯式PFC技術(shù)趨勢及新穎的單芯片交錯式PFC控制器的應(yīng)用
- 近年來，在一些對外形因數(shù)有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中，如纖薄型液晶電視或筆記本適配器等，一種新興的功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)-交錯式PFC的使用越來越多。所謂交錯式PFC，是在原本單個較大功率PFC段的地方并行放置2個功率為其一半的較小功率PFC段來替代，參見圖1。這兩個功率較小的PFC段以180°的相移交替工作，總輸入電流(IL(tot))和輸出電流(ID(tot))紋波都將大幅降低。 雖然交錯式PFC使用相對較多的元器件，但卻擁有很多優(yōu)勢。例如，150 W的PFC比300 W PFC更易于設(shè)計
- 關(guān)鍵字： 安森美 PFC DCM
三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
- 三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機(jī)和移動設(shè)備設(shè)計者在存儲模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 三星稱，這項層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： 三星 封裝 Multi-die
DSP編程過程中的幾個關(guān)鍵問題的研究
- 關(guān)鍵字： 匯編指令的歧義 Bootload Bug McBSP Multi-Frame
Microchip推出數(shù)字交錯功率因數(shù)校正參考設(shè)計
- 全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布，推出數(shù)字交錯功率因數(shù)校正(PFC)參考設(shè)計，演示如何在綠色電源設(shè)計中實現(xiàn)全數(shù)字化PFC的各項優(yōu)勢。具體來說，這個免費的參考設(shè)計為交錯式PFC應(yīng)用的開關(guān)電源(SMPS)使用的Microchip dsPIC33F“GS”系列數(shù)字信號控制器(DSC)提供了一種簡便的評估能效和特性的方法。 轉(zhuǎn)向數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的趨勢是實現(xiàn)綠色電源設(shè)計及更智能更
- 關(guān)鍵字： Microchip PFC dsPIC33F DSC
增強(qiáng)PFC段性能的兩種簡單調(diào)整方法
- 本文討論了如何解決PFC段經(jīng)常會面對的兩個問題。首先，在CrM應(yīng)用中，零電流檢測在高輸入線路時精度不高，而當(dāng)輸入線路電壓非常接近輸出電壓時，可能會出現(xiàn)某些不需要的連續(xù)導(dǎo)電模式周期，導(dǎo)致一些功率因數(shù)退化，及可能出現(xiàn)一些人耳可聽到的噪聲。能夠使用一顆簡單的電阻來改善這功能。其次，在啟動序列期間，PFC段也可能呈現(xiàn)出過大的過沖?？梢栽诜答伕袦y網(wǎng)絡(luò)中放置一顆電容來限制或抑制這過應(yīng)力。
- 關(guān)鍵字： PFC 性能 調(diào)整方法
高效節(jié)能技術(shù)應(yīng)對更嚴(yán)格電源能效規(guī)范要求
- 隨著人們節(jié)能環(huán)保意識的不斷增強(qiáng)，計算機(jī)、照明、消費電子、電源適配器和家電等領(lǐng)域越來越多地出現(xiàn)了更嚴(yán)苛能效法規(guī)的限制。以在全球擁有廣泛影響力的美國“能源之星”項目為例，新的1.0版固態(tài)照明(SSL)規(guī)范已從2008年10月1日開始實施，2.0版適配器/外部電源規(guī)范和3.0版電視規(guī)范也于同年11月1日開始實施，而2.0版的機(jī)頂盒(STB)規(guī)范也于2009年1月1日生效。 這些能效規(guī)范在工作能效、待機(jī)能耗及功率因數(shù)方面提出了比此前版本更高的要求。如2.0版適配器規(guī)范的工作能效(
- 關(guān)鍵字： 安森美 能源之星 PFC PWM 電源能效
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