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Transphorm最新技術白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比
- 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
- 關鍵字： Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
- 關鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動工具 割草機 雙boost double boost 無橋PFC
基于onsemi NCP1618多模式PFC 500W設計方案
- 近年來隨著應用技術不斷推陳出新，造就終端應用的功率需求越來越大，例如:5G網通電源供應器、ATX/Gaming電源供應器等等，功率消耗大于一程度時電源供應器就要有功率因數校正(Power Factor Correction, PFC)的功能，以歐盟EN61000-3-2規(guī)范要求，所有電子產品輸入功率大于75W時，其電源供應都需要有功率因數校正的機能。另外，在規(guī)格要求也越來越嚴苛，以往可能只要求滿載下效率與功率因數PF值等，目前會要求在某負載范圍下效率都要達到一定的程度，且PF值也要達到一定的數
- 關鍵字： onsemi power 安森美 NCP1618 Multi-mode PFC ATX power Gaming power Networking 電競電源 網通電源
氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率
- 幾乎所有現代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網獲得能量，并將經過妥善調節(jié)的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗，成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數據中心在10年內節(jié)省多達700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
- 關鍵字： 氮化鎵 圖騰柱 PFC 電源設計
電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
- 現今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態(tài)補償響應，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1680/1681應
- 關鍵字： 大大通 PFC
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
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