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        LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

        • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2)         假設(shè)被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC,那么由公式可得需要測試的電壓值個數(shù)為:  256(顏色深度)x384(pin數(shù))x2(Dot 翻轉(zhuǎn)) =196,608  一般的DC測試部件的測試時間為幾到幾十個uS,由此可知測試時間將會比較長。如果IC的色彩深度高一些的話(65535色),測試時間根本無法讓人接受,因此在進(jìn)行此類測試時需要使用數(shù)字采樣器(Dig
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        LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

        • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國已有二十多年的發(fā)展歷程,已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?! CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速,從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大,從測試原理上來說也就會有一些不同,目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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        提高穩(wěn)壓器過流保護能力的 MOSFET

        • 經(jīng)典的 LM317型可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器具有相當(dāng)大的電流承受能力。此外,LM317還具有限流和過熱保護功能。
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        起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率 MOSFET

        • 設(shè)計人員都用直流電子負(fù)載來測試電源,如太陽能陣列或電池,但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用,就可制作出自己的直流電子負(fù)載(圖 1)。
        • 關(guān)鍵字: 作用  功率  MOSFET  核心  負(fù)載  穩(wěn)壓  電子  直流  

        2005年4月21日,瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

        •   2005年4月21日,瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET,用于手持式無線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大,通過使用新工藝和新封裝,實現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
        • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  Renesas  

        新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

        一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計的驅(qū)動器

        • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計的電力電子驅(qū)動器件――SCALE集成驅(qū)動器的性能特點和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
        • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動器  設(shè)計  MOSFET  IGBT  專為  

        基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計

        • 摘    要:本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應(yīng)用,其脈沖波形隨設(shè)計線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果,從而解決了隨機燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞:SG3525A;逆變電源;MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,用太陽能為蓄電池充電,然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中,有時隨機出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象,本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
        • 關(guān)鍵字: MOSFET-90N10  SG3525A  逆變電源  模擬IC  電源  

        2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

        •   2004年6月7日,瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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