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	mosfet-driver
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能
        
                                                            
          
                    	
        • 　　一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。
　　與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點(pol)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  POL  電源  放大器                          
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        Maxim推出內(nèi)置低導通阻抗開關的高效率雙路3A/5A降壓調(diào)節(jié)器
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調(diào)節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內(nèi)置開關可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內(nèi)部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現(xiàn)的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現(xiàn)完全導通，相比較而言，內(nèi)部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
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        • 關鍵字：
                        Maxim  調(diào)節(jié)器  MOSFET  其他IC  制程                          
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        用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
        
                                                            
          
                    	
        • 　　l 前言
　　絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。
　　有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅(qū)動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關系，用數(shù)字信號處理器(DSP
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        • 關鍵字：
                        IGBT  MOSFET  場效應晶體管  電源                          
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        電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展
        
                                                            
          
                    	
        • 　　全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數(shù)的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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        • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  MOSFET  芯片  IC  元件  制造                          
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        功率場效應晶體管(MOSFET)原理
        
                                                            
          
                    	
        • 　　功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
一、電力場效應管的結構和工作原理
　　電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  半導體材料                          
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        功率模塊市場增長 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫
        
                                                            
          
                    	
        • 　　功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領域。全球各大廠商也不失時機地加大研發(fā)力度，占領市場高地。
　　發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫
　　目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
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        • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  功率  半導體  VD-MOSFET  模擬IC  電源                          
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        基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的研制
        
                                                            
          
                    	
        • 　　引 言
　　功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關斷能力，而且具有驅(qū)動功率小，關斷速度快等優(yōu)點，是目前開關電源中常用的開關器件。采用MOSFET 控制的開關電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設計實例。
　　總體結構與主電路
　　圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：
　　 


　　圖1 　原理方框圖
　　全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V 
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        • 關鍵字：
                        消費電子  MOSFET  功率場效應管  PWM  電源                          
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        選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
        
                                                            
          
                    	
        •     隨著制造技術的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設計人員必須跟上技術的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 　　MOSFET的選擇 　　MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  元件  制造                          
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        凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444
        
                                                            
          
                    	
        •       凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅(qū)動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。      這個強大的驅(qū)動器可采用 1.2Ω 的下
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        • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  凌力爾特  MOSFET  LTC4444  模擬IC                          
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        凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器 LTC4442/-1
        
                                                            
          
                    	
        •       凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 
      這個強大的驅(qū)動器可以吸收高達 
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        • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  凌力爾特  MOSFET  驅(qū)動器  模擬IC                          
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        Intersil ：衛(wèi)星電源管理解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 本文介紹了Intersil的衛(wèi)星電源管理解決方案。
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        • 關鍵字：
                        PWM  Driver  Hard                          
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        可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷
        
                                                            
          
                    	
        • 當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現(xiàn)成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設計。多數(shù)標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結果并不準確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價的通用元件來構建電路。

負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
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        • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  雙恒流載荷  MOSFET  運算放大器  放大器                          
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        飛兆半導體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎
        
                                                            
          
                    	
        • 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅(qū)動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
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                        消費電子  飛兆半導體  FDMF8700  MOSFET  消費電子                          
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        飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列
        
                                                            
          
                    	
        • 飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
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                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  飛兆  MOSFET  FDS881XNZ  嵌入式                          
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