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通用測試儀器大全之電子負載儀（特性，工作原理，使用方法，應用范圍）
- 通用測試儀器大全之電子負載儀（特性，工作原理，使用方法，應用范圍）-以增強AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設計并制作了直流電子負載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負反饋控制環(huán)路，實現(xiàn)恒流。恒阻和恒壓模式通過軟件實時調(diào)節(jié)流過MOS管電路的電流實現(xiàn)。
- 關鍵字： mos管 電子負載儀
全面解析MOS管特性、驅(qū)動和應用電路
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?！ ∠旅媸俏覍OS及MOS驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應用電路?！ OSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
- 關鍵字： MOS管
MOS管被靜電擊穿的原因分析
- MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種方式; 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路; 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。 現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3
- 關鍵字： MOS管
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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