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mos管 文章 進(jìn)入mos管技術(shù)社區(qū)
【干貨】拋開(kāi)教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
- 我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開(kāi)；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡(jiǎn)單。當(dāng)說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會(huì)告訴你長(zhǎng)長(zhǎng)的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分
- 晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管 1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安 2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率 3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
- 關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 MOS管
萬(wàn)用表測(cè)試MOS管使用及更換總是很難？看看這個(gè)吧！（二）
- 現(xiàn)在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，出廠的篩選、檢測(cè)都很嚴(yán)格，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡(jiǎn)單： 采用萬(wàn)用表的R×10K擋;R×10K擋內(nèi)部的電池一般是9V加1.5V達(dá)到10.5V這個(gè)電壓一般判斷PN結(jié)點(diǎn)反相漏電是夠了，萬(wàn)用表的紅表筆是負(fù)電位(接內(nèi)部電池的負(fù)極)，萬(wàn)用表的黑表筆是正電位(接內(nèi)部電池的正極)，如上圖所示?！ ?)測(cè)試步驟： 把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無(wú)窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說(shuō)明
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六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析
- 目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了?！ 〉谌木蛯倬W(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。 下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 雪崩失效(電壓失效)，也就
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用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析
- 工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
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開(kāi)關(guān)電源變壓器溫升過(guò)高問(wèn)題改善方法
- 在開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作過(guò)程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問(wèn)題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過(guò)高導(dǎo)致工作效率下降的問(wèn)題
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解
- 使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理
- 1、三個(gè)極怎么判定 G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)
- MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC?MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計(jì)?！ ?? 圖?1開(kāi)關(guān)管工作的功
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]
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