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        FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

        日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

        • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
        • 關(guān)鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲(chǔ)器  

        擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

        • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí),現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能,使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
        • 關(guān)鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    

        1994年6月,無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收

        •   1994年6月,我國“七五”電子工業(yè)的頭號(hào)工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn),代表了我國當(dāng)時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
        • 關(guān)鍵字: 華晶電子  集成電路  MOS  
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        mos—fet介紹

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