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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

        電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器制作

        • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
        • 關(guān)鍵字: 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

        舞臺功放MOS管改裝方法

        • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
        • 關(guān)鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

        基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

        • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
        • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關(guān)  高頻  基于  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類功率放大器

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(三)

        • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
        • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動電路  

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(二)

        • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(一)

        • 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        TI 小貼士:圖例理FET知識

        • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個開關(guān)...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

        • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
        • 關(guān)鍵字: mos  

        MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

        • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
        • 關(guān)鍵字: mos/開關(guān)損耗  

        CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

        •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
        • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

        開關(guān)電源設(shè)計之MOS管反峰及RCD吸收回路

        • 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
        • 關(guān)鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計  MOS  開關(guān)電源  
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        mos—fet介紹

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