針對勒索軟件與網(wǎng)絡攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品

• IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡彈性機構的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡攻
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SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場會有什么變化？

• 據(jù)韓國媒體消息，中國監(jiān)管機構審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國芯片制造商從英特爾手中收購NAND閃存業(yè)務進行評估，并決定批準該收購，這為SK海力士掃清了最后一個障礙。
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TrendForce：三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響

• 中國西安正受疫情影響而封城，目前尚無法預期解封時間，根據(jù)TrendForce調查，由于三星（Samsung）在當?shù)卦O有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品，投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達42.3%，占全球亦達15.3%，現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而，當?shù)胤獬谴胧﹪栏窆芸厝肆骷拔锪?，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適，但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能，這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
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機器學習模型設計過程和MEMS MLC

• 開發(fā)機器學習項目的五個步驟 — 掌握要點，應用并不困難！邊緣機器學習具有許多優(yōu)勢。 然而，由于開發(fā)方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學習開發(fā)者可能會擔心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學習項目的要點，就能夠開發(fā)具有價值的機器學習應用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進邊緣機器學習得到廣泛應用發(fā)揮全部潛力。本文描述機器學習項目的必要開發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內嵌機器學習核心（MLC）的優(yōu)勢。 圖一
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筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%

• 根據(jù)TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營收達148.2億美元，季增5.1%，其中位出貨量成長11%，大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時，需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁，但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱，市場尚未脫離供過于求的狀態(tài)，各類產(chǎn)品合約價仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而，OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給，自今年一月下旬便開始增加訂單，一方面避免陷入缺貨風險，也希望在料況無虞的情況下，策略性擴大市占，使得第一季NAND
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美光專家對176層NAND的解答

• 2020 年11 月，美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND，實現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破（如圖1）。為此，《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術開發(fā)高級總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級經(jīng)理KevinKilbuck。問：176 層產(chǎn)品目前用于哪些應用？Kevin Kilbuck：我們Crucial英睿達品牌的某些消費類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND，已經(jīng)開始出貨。問： 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)？如何解決層間干擾？Kunal Parekh： 通過嚴格的試驗和測
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2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

• 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個系列，并針對工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應用進行了優(yōu)化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節(jié)點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業(yè)務，存儲芯片格局或生變

• 半導體并購再起。2020年以來，半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM，AMD洽談收購賽靈思，半導體領域接連出現(xiàn)重大變數(shù)，金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務。本次收購范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤 (SSD) 業(yè)務、NAND閃存和晶元業(yè)務，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業(yè)務。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易，超過三星在20
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研究機構預計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據(jù)國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看，在集成電路的33個產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

• 根據(jù)TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產(chǎn)品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進SSD的
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三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

• 據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設上月已經(jīng)開始，預計2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設，預計明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條
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