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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> mlc nand

        NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

        •   NAND閃存價格2018年以來一直在降低,大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了,中高端機中64GB是起步,128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù),因為智能手機出貨量增長放緩,而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加,預(yù)計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%,不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及,未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?! 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報告,認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季,但是N
        • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

        一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

        • SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊:X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)
        • 關(guān)鍵字: SLC  MLC  TLC  區(qū)別  

        中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

        •   今年下半年,隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段,中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖,但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?! 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張,以及中國監(jiān)管機構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構(gòu)的反壟斷調(diào)查,中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。  目前,中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?! 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

        三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能:SSD要繼續(xù)降價

        •   據(jù)韓國媒體報道稱,三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資,總計高達150億美元,這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到,三星如此投資,只是為了提高NAND產(chǎn)量,所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事。  全球NAND閃存市場份額中,三星排名第一,占有率達到37%,其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展,而此番投資NAND領(lǐng)域以擴大產(chǎn)能,也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?! ∮袌蟮婪Q,東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能,今年底到明年
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

        •   近日,據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測,2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上,從2017年的220億美元增至2018年的310億美元,屬于近8年來的最大增幅。   其中,3D NAND的市場需求,成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系,可以使得每顆芯片的儲存容量增加,從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔,利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧,目前已成為NAND閃存廠商的
        • 關(guān)鍵字: NAND  CAPEX  

        美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

        •   美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)宣布,中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司,針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件,該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟,實為報復(fù)此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。  該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
        • 關(guān)鍵字: 美光科技  DRAM  NAND   

        2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達1158億美元,無線通訊市場大幅下滑

        •   在2018年第一季度,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑,然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入,其中,來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁?! ‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加,在2018年第一季度,儲存類別增長率為1.7%,達到397億美元。事實上,對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而,也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降,IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
        • 關(guān)鍵字: 無線通訊  NAND  

        紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

        • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上,紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間,紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

        96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

        •   為實現(xiàn)更高儲存密度,NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加,單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代,展望2019年,三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性,控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案。  群聯(lián)電子發(fā)言人于紹庭表示,3D NAND Flash技術(shù)不斷推進,目前64層TLC已經(jīng)是相當穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進一步提升儲存密度,NAND Flash供貨商正
        • 關(guān)鍵字: NAND,芯片  

        存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場?

        • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構(gòu)調(diào)查,最終結(jié)果究竟如何,人們拭目以待。
        • 關(guān)鍵字: 存儲  NAND  

        DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

        •   隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(2408)日前表示,今年DRAM市場仍供不應(yīng)求,帶動存儲器族群行情向上,旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注,昨(29)日登上成交金額之首?! ∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑,小跌0.4%,收在98.9元(新臺幣,后同),但獲外資逆勢敲進逾2,000張,頗有逢低承接意味?! ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元,隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求,對今年整體營運表
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

        美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

        •   美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相,面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場,可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出,奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位,可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?! ‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
        • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

        韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

        •   當前,不論DRAM還是NAND Flash等存儲器,中國市場基本上100%依賴進口,這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此,現(xiàn)階段在政府的支持下,除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠,預(yù)計2018年下半年量產(chǎn)之外,其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā),這使得未來幾年,中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。   對此,韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測,在2022年時會因為中國競爭的影響,韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。   根據(jù)韓國媒體《et
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND   

        內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

        •   根據(jù)Gartner的報告顯示,在過去的2017年中,三星已經(jīng)成功取代英特爾,搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道,英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座,如今被三星超越實在是無奈,因為沒有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強勁。        也許大家都快忘記了,兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元,然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多,甚至一度要突破千元大關(guān),用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長,其中三星獲益匪淺,
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

        2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名:三星首次登頂

        •   IHS Markit研究指出,2017年全球半導(dǎo)體市場營收達到4291億美元,與2016年相較成長了21.7%,年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率,取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。   在前20大半導(dǎo)體廠商中,SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大,較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次,營收較2016年成長了79.7%。 對此,IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示,強勁的需求以及價格上漲,是企業(yè)營收大
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  
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        mlc nand介紹

          MLC NAND   目錄   1定義   2MLC芯片特點   3與SLC對比   1定義   MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較高。   一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3,000次 。這一點與SLC得100,000的擦除次數(shù)有不小的差異。   2MLC芯片特點   1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]

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