- 功率半導體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強,iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元,增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率半
- 關鍵字:
MOSFET IGBT 功率半導體
- 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終
- 關鍵字:
IGBT 軟開關 損耗
- 功率半導體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強,iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為 2833億美元,增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率
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MOSFET IGBT
- 近日,中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發(fā)中心,并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式,為實現功率半導體器件世界第一的戰(zhàn)略目標奠定了更加堅實的基礎。
中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司,獲得了戰(zhàn)略性資源,與中國南車現有功率半導體產業(yè)形成優(yōu)勢互補。為尋求更大發(fā)展,南車確立了功率半導體器件世界第一的戰(zhàn)略目標,于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資,進一步加大對功率半導體產業(yè)的投資,著力提升六英寸IGBT芯片的生產能力;同時建立世界水平的功率半導體研發(fā)中心,
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軌道交通 IGBT
- 針對汽車功率模塊需求,英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT結構強度,大大提高了IGBT的壽命預期。
混合動力車輛中功率半導體模塊的要求
工作環(huán)境惡劣(高溫、振動)
IGBT位于逆
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IGBT 汽車級 混合動力車 中的設計
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產品系列。該系列經過優(yōu)化,適用于高頻和硬開關應用,在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面,樹立了行業(yè)新標桿,并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
近年來,各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT,比如開關和通態(tài)損耗優(yōu)化,以期充分發(fā)揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用,幫助最大
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英飛凌 IGBT UPS
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上,推出了專為實現最高功率密度和可靠性而設計的新款IGBT模塊:采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊,和EconoDUAL系列的最新旗艦產品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。
英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經理Martin Hierholzer指出:“通過推出這兩款新產品,英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT PrimePACK
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協(xié)議,針對全球工業(yè)運動控制與驅動市場,提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協(xié)議規(guī)定,三菱電機將新一代功率芯片,應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級:600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上,推出創(chuàng)新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優(yōu)化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術,英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求,并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經理Martin Hierholzer指出:“通過推出全新的.XT技術,英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT 封裝
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協(xié)議,針對全球工業(yè)運動控制與驅動市場,提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協(xié)議規(guī)定,三菱電機將新一代功率芯片,應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級:600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 混合動力車電力驅動的關鍵組件是電機和電機驅動器,IGBT作為電機驅動器的核心,它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行,本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域,所涉及的可靠性相關問題進行了探討,提出了汽車級IGBT概念,并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
- 國際著名電子、電機和工業(yè)產品分銷商RS Components于今日宣布,通過其在線目錄RS Online(RS在線:http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
此次推出的產品中,除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外,還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
- 關鍵字:
RS MOSFET IGBT
- 在新系統(tǒng)架構、控制方法和器件設計中的持續(xù)創(chuàng)新使得太陽能的利用效率更高。這些進步包括從全球政府部門對清潔能源的有力推動,使太陽能利用的前途真正變得光明。
- 關鍵字:
趨勢 采用 發(fā)展 結構 器件 IGBT
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