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基于EXB841的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動(dòng)電路，具有單電源、正負(fù)偏壓
關(guān)鍵字： EXB841 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
關(guān)鍵字：電路研究保護(hù) 驅(qū)動(dòng) EXB841 IGBT 基于電源

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