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制造能耗變革從新一代半導體開始
- 接近62%的能源被白白浪費 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
- 關鍵字： SiC GaN
GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。 未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
- 關鍵字： GaN 5G
MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來的發(fā)展趨勢
- MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構筑更加美好的世界。 在基礎設施的建設領域中，MACOM的技術提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。 日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
- 關鍵字： MACOM GaN
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
- 關鍵字： SiC GaN
前瞻性技術：加速GaN技術應用
- 相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現(xiàn)更高的效率。 電源供應設計 德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中，進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗，TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設計的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
- 關鍵字： 德州儀器 GaN
電源設計控必須了解的2017三大趨勢
- 2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
- 關鍵字： SiC GaN
下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計
- 引言 太陽能不再是一項新興技術，而是正在經(jīng)歷重大技術變革的技術，日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當)，并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構成的目標前進，因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟實惠?！ 〉牵m然太陽能面板在近幾年價格顯著降低，但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實現(xiàn)更加快速的功率開關，與傳統(tǒng)系
- 關鍵字： 光伏逆變器 GaN
日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
- 關鍵字： GaN MOSFET
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