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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求，提供
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SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！ ?nbsp; 圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。 通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。 圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： • 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz • 輸出功率：2kw • 輸出：最大電壓1
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓?fù)洹Ｅc通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時間可忽略不計
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SiC耐壓更高，適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。 相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點。 現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”。 東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
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電源的六大酷領(lǐng)域及動向
- 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動向及新產(chǎn)品。
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ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動電流增加而
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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