- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
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FinFET 布線
- 近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元?！ 私?，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發(fā)了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發(fā)明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性?！ ?/li>
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三星 FinFET
- 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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芯片 FinFET
- “半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創(chuàng)新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示?！ ∽?965年摩爾定律提出以來，歷經半個多世紀的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機。 胡正明發(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導體帶來新契機。 2011年5月
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FinFET 7納米
- 在2018年，如果蘋果新一代產品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產業(yè)來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。
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7nm FinFET
- 近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業(yè)領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業(yè)務、市場推進方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設計實現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會，本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網絡和汽車解決方案智能應用，F(xiàn)DX?、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
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FinFET 半導體工藝
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技術在物聯(lián)網蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當口，F(xiàn)D-SOI技術還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優(yōu)勢，實現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設計企業(yè)的探討重點。此外，5G網絡與物聯(lián)網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。
FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
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FinFET 物聯(lián)網
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統(tǒng)處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品?！ ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?！ ∵@項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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MOS FinFET
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現(xiàn)象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統(tǒng)應用中，在系統(tǒng)中第一次產生了模數轉換過程?！ ∧M技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產?！ ?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現(xiàn)遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
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SoC Synopsys FinFET
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