fet 文章 進入fet技術(shù)社區(qū)
學好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體 硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導體。 根據(jù)電流流動的構(gòu)造，可將半導體分為N型和P型兩類。 半導體的電流流通原理 (1) N型半導體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設計注意點
- 無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動，連接每一個驅(qū)動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應用只需要開和關(guān)的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅(qū)動電流從0到目標電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。 PWM調(diào)光能調(diào)配準確色光
- 關(guān)鍵字： PWM FET
基于場效應管的功率放大器設計
- 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果，由集成運算放大器構(gòu)成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
- 關(guān)鍵字： FET 場效應管 功率放大器
用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法
- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
- 關(guān)鍵字： P-FET MOSFET
Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開關(guān)
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?！ LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V
研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙
- 韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。 由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
- 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡設備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
- 關(guān)鍵字： eGaN FET 硅功率器 轉(zhuǎn)換器
fet介紹
fet FET:場效應管
根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件
--------------------------------------------------------------
1.概念:
場效應晶體管（Field Effect Transisto [ 查看詳細 ]
fet研討會推薦
fet相關(guān)帖子
fet資料下載
fet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473