EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
fab-lite
fab-lite 文章 進(jìn)入fab-lite技術(shù)社區(qū)
力爭(zhēng)Fab主動(dòng)權(quán) 中國(guó)瘋狂建廠(chǎng)的背后
- 當(dāng)下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導(dǎo)體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機(jī)器人的熱詞。沒(méi)有幾個(gè)人能說(shuō)得清，有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線(xiàn)在運(yùn)籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢(qián)袋在這個(gè)“金礦”邊上徘徊。中國(guó)歷來(lái)的傳統(tǒng)是，黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國(guó)家確定的目標(biāo)，就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場(chǎng)。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開(kāi)始注意到潛在的風(fēng)險(xiǎn)，我們?cè)谌?ldquo;傳統(tǒng)產(chǎn)能”的同時(shí)，會(huì)不會(huì)帶來(lái)新的“高科技產(chǎn)能過(guò)剩”風(fēng)險(xiǎn)?這是我們每個(gè)行業(yè)從業(yè)者要認(rèn)
- 關(guān)鍵字： Fab GlobalFoundries
X-Fab將收購(gòu)已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)Altis
- 模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購(gòu)日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購(gòu)價(jià)格方面，X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。 根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠(chǎng)房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購(gòu)Altis Semiconductor將有助增
- 關(guān)鍵字： X-Fab 晶圓
X-Fab將收購(gòu)法國(guó)Altis資產(chǎn)
- 模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購(gòu)日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購(gòu)價(jià)格方面，X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。 根據(jù)EETimes等外媒報(bào)導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠(chǎng)房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購(gòu)Altis Semicondu
- 關(guān)鍵字： X-Fab Altis
Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線(xiàn)對(duì)板連接器系統(tǒng)
- Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術(shù)) 線(xiàn)對(duì)板連接器系統(tǒng)，具有小巧的外觀(guān)尺寸，滿(mǎn)足纖薄型 LED 照明模塊的應(yīng)用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm，與可拆卸電線(xiàn)式的連接器相比，是當(dāng)今市場(chǎng)上外形最小巧的連接器之一并可實(shí)現(xiàn)最低的電線(xiàn)插入力。 Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 J.B. Jin 評(píng)論說(shuō)：“Molex 致力于創(chuàng)新，通過(guò)設(shè)計(jì)出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng)，良好滿(mǎn)足 LED 照明制造商的要求，從而實(shí)現(xiàn)更薄的設(shè)計(jì)，并減輕陰影或與光
- 關(guān)鍵字： Molex Lite-Trap 連接器
全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)
- 全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)，至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出，2013年全球fab廠(chǎng)設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新，同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
- 關(guān)鍵字： Fab 電子制造
全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)
- 全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)，至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出，2013年全球fab廠(chǎng)設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新，同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
- 關(guān)鍵字： Fab 設(shè)備
X-FAB持續(xù)擴(kuò)張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)
- X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經(jīng)增加在總部位于德國(guó)的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠(chǎng)(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。 上述動(dòng)向反映了X-FAB對(duì)MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠(chǎng)補(bǔ)強(qiáng)了X-FAB 微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠(chǎng)最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測(cè)器、致動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與
- 關(guān)鍵字： X-FAB 微感測(cè)器 MEMS
X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。 此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠(chǎng)補(bǔ)充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠(chǎng)的MEMS的生產(chǎn)能力及資源，添加了微感應(yīng)器、制動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與密封晶片級(jí)封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。 X-FAB MEMS Found
- 關(guān)鍵字： X-FAB 微感應(yīng)器 MEMS
Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世
- 瑞典斯德哥爾摩，2012年10月11日–為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)者而設(shè)計(jì)，對(duì)該領(lǐng)域而言，容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對(duì)許多用戶(hù)而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 相較于Polyhedra 的32位模式完整版，
- 關(guān)鍵字： Enea 內(nèi)存 Polyhedra Lite
Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世
- 為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)者而設(shè)計(jì)，對(duì)該領(lǐng)域而言，容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對(duì)許多用戶(hù)而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 相較于Polyhedra 的32位模式完整版，Polyhedra Lite是一
- 關(guān)鍵字： Enea Polyhedra Lite
XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性?xún)r(jià)比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車(chē)用電子。
- 關(guān)鍵字： X-FAB 嵌入式閃存
fab-lite介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條fab-lite!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)fab-lite的理解，并與今后在此搜索fab-lite的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)fab-lite的理解，并與今后在此搜索fab-lite的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
fab-lite相關(guān)帖子
fab-lite資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473