ddr5 文章 進(jìn)入ddr5技術(shù)社區(qū)
三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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DDR5服務(wù)器DRAM價(jià) Q2跌幅料收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（Trendforce）認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預(yù)估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價(jià)格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
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Server DDR5 RDIMM傳PMIC問題，供給受限跌幅將收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難免受此事件影響，故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM
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存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題
- IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機(jī)以來，三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報(bào)》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計(jì)劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證
- 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準(zhǔn)測試中的性能
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美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器中完成驗(yàn)證
- IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番。升級(jí)到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運(yùn)行次數(shù)）的基準(zhǔn)測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性
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美光DDR5為第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番，為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強(qiáng)??可擴(kuò)展處理器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器
- IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級(jí)（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號(hào)為 Sapphire Rapids）兼容認(rèn)證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲(chǔ)器認(rèn)證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對增長趨勢的服務(wù)器市場，盡早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
- 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計(jì)算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步，此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測試：內(nèi)存帶寬翻倍
- IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測試。長期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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