在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì)成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。當(dāng)下DDR5 DRAM作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競(jìng)逐的焦點(diǎn)。據(jù)外媒消息報(bào)道，行業(yè)專家認(rèn)為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑的趨勢(shì)。

公開(kāi)資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是10納米級(jí)DRAM節(jié)點(diǎn)的第3代或第4代。DDR5內(nèi)存包含多項(xiàng)創(chuàng)新和新的DIMM架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)速度等級(jí)跳躍并支持未來(lái)擴(kuò)展。

在產(chǎn)品上，三星在2022年12月下旬宣布利用12nm級(jí)制程工藝成功開(kāi)發(fā)出16Gb DDR5 DRAM，近期將與AMD完成了兼容性測(cè)試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

美光方面則在1月19日宣布推出新一代DDR5內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600，最高擁有48GB容量的版本。據(jù)悉，美光新一代DDR5內(nèi)存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及1.1V電壓下的CL46延遲，同時(shí)兼容AMD EXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%，配置最高可達(dá)48GB。據(jù)悉，美光的新DDR5存儲(chǔ)模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認(rèn)證。

市場(chǎng)消息顯示，DDR4 DRAM當(dāng)前占據(jù)了內(nèi)存市場(chǎng)的大部分份額，從過(guò)往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過(guò)2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品則于2014年入市，直到2016年才實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)份額的大幅提升。

對(duì)于最新一代的DDR5而言，其最新款產(chǎn)品產(chǎn)能還處于爬坡期，售價(jià)還較高，性能也未發(fā)展到最優(yōu)。業(yè)界認(rèn)為這兩年是DDR5高速發(fā)展期，特別是從今年起，DDR5滲透率將大幅提升。并且由于DDR技術(shù)愈發(fā)成熟，DDR5的保質(zhì)期或比DDR4長(zhǎng)。

目前多位業(yè)界人士對(duì)于DDR5發(fā)展前景較為看好，TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷表示，隨著時(shí)間的推移，預(yù)計(jì)自2023年起，服務(wù)器端將逐步導(dǎo)入DDR5，在server新平臺(tái)的帶動(dòng)下，將會(huì)拉高DDR5比重。DDR5有望取代DDR4，DDR5 DRAM將迎來(lái)快速普及期，成為市場(chǎng)中供給/采用的主流產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，DDR5與DDR4成為主流應(yīng)用的交會(huì)點(diǎn)應(yīng)該在2024年底前或2025年初。