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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

        南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

        • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)!
        • 關(guān)鍵字: 10nm  DRAM  

        美光出樣DDR5內(nèi)存:1Znm工藝、性能提升85%

        • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
        • 關(guān)鍵字: 美光  內(nèi)存  DDR5  

        儒卓力與愛(ài)普科技簽署全球分銷協(xié)議

        • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè),全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛(ài)普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項(xiàng)分銷協(xié)議涵蓋了愛(ài)普科技的全部產(chǎn)品,并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議,儒卓力是愛(ài)普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨(dú)家分銷商。愛(ài)普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案,重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長(zhǎng)壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng),存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
        • 關(guān)鍵字: RAM  DRAM  

        南亞科:明年下半年DRAM將供不應(yīng)求

        • DRAM大廠南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭認(rèn)為,明年第2季起,DRAM市場(chǎng)就會(huì)供需平衡,且若市場(chǎng)未有大量新產(chǎn)能開(kāi)出,下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。
        • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  市場(chǎng)  

        Intel開(kāi)始出貨10nm Agilex FPGA:DDR5、PCIe 5.0

        • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來(lái)遲,但是布局深廣,包括面向筆記本和服務(wù)器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎(chǔ)設(shè)施的Snow Ridge,還有一款全新的FPGA。
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  10nm  DDR5  FPGA  PCIe 5.0  

        日韓決裂,半導(dǎo)體誰(shuí)最受傷?

        • 6月末也是在大阪召開(kāi)G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
        • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  

        美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

        • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶,它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量,從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了美光為當(dāng)前和下一代
        • 關(guān)鍵字: LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)  

        美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

        • 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此,市場(chǎng)預(yù)估,美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前,在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
        • 關(guān)鍵字: 美光  10納米  DRAM  

        日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì),長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

        • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng),短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑,下游
        • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

        國(guó)際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國(guó)存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢(shì)擴(kuò)張

        •   在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán),讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距,又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱,存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn),迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張?! ?guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫  6月30日晚間,紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際,此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張。  據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì),5月全球半
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  存儲(chǔ)  DRAM  

        美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

        • 在近日與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話會(huì)議上,美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心,該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
        • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  DRAM  

        紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

        • 6月30日,紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱,決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群,全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
        • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  閃存  

        DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本 跌勢(shì)趨緩訊號(hào)浮現(xiàn)

        • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌,根據(jù)供應(yīng)鏈透露,6月起DRAM顆?,F(xiàn)貨價(jià)格再度走跌,主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
        • 關(guān)鍵字: 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

        紅「芯」勢(shì)力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

        • 半導(dǎo)體無(wú)所不在,舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī),皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國(guó)最具代表性產(chǎn)業(yè),占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌,除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外,韓國(guó)經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國(guó)大陸DRAM力拚崛起,及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求,三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  SDI  

        三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

        • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過(guò)半市場(chǎng)的超級(jí)巨頭,三星電子的一舉一動(dòng)都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲,三星賺得盆滿缽滿,最近日子就不太好過(guò)了,一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌了超過(guò)60%。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  16nm  三星電子  
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        ddr5 dram介紹

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