第2季DRAM報價下跌幅度相當大，主要是日本311地震后，下游客戶擔心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現PC終端需求低于預期，導致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DRAM市場持續(xù)陷入供過于求情況。
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DRAM DDR3
據IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。
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DDR3 DRAM
市場調研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內存芯片市場統(tǒng)計報告顯示，DRAM內存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。
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DRAM DDR3 WiMAX
據《蘋果日報》援引匿名消息提供者的說法稱，由于PC OEM廠商正在積極囤積庫存，內存芯片廠商南亞公司計劃四月份將其產品的價格提價5%。報道還稱三星公司已經知會其客戶稱4月上半月將對旗下內存芯片產品漲價5-6%，2Gb密度DDR3內存芯片的合約價格有望爬升到2美元以上。
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內存芯片 DDR3
日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯合聲明稱兩家公司已經成功完成了4F2架構設計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產，這次試產是由瑞晶的研發(fā)中心主導的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產品。兩家公司目前已經合力成功制造出了基于65nm設計準則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產品?！?/li>
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爾必達 DDR3
DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數據處理中的應用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
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視頻 數據處理 應用 IP 控制器 存儲器 接口 DDR3
采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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SDRAM FPGA DDR3 存儲器
最近，內存顆粒的工藝進步速度非?？?，最先進的30nm工藝甚至已經超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。
今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀錄。
據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達聲稱該內存顆粒是目前世界上體積最小的產品
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爾必達 DDR3 30nm
三星剛剛公布其量產8GB DDR3筆記本內存模組的消息，根據計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產SODIMM接口內存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%。
這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上，如將插槽插滿，共可容下32GB內存。
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三星 DDR3 40納米
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。
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海力士 DRAM DDR3
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。
據市調機構DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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海力士 DRAM DDR3
今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下，加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網本，移動設備的各種應用。
三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產品，預計這款產品今年才會投入使用。
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三星 30nm DDR3
DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件...
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FPGA IP核 DDR3 數據處理
臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產出了1Gb DDR3內存顆粒。首批測試結果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現量產。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產提供的晶圓產量 將達到3.5萬片。
茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產，并計劃在明年年底
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茂德 DDR3 內存
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