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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DDR SDRAM
利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問(wèn)題
- 在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲(chǔ)器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場(chǎng)拍攝的諸多圖...
- 關(guān)鍵字： FPGA TMS320C54K SDRAM
電源設(shè)計(jì)技巧：DDR內(nèi)存電源
- CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
- 關(guān)鍵字： 電源設(shè)計(jì) DDR 內(nèi)存電源
電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
- CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
- 關(guān)鍵字： 電源 內(nèi)存 設(shè)計(jì) DDR
基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì)
- 基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì),RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動(dòng)態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動(dòng)態(tài)RAM)，RAM的容量越來(lái)越大、速度越來(lái)越高，可以說(shuō)存
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 接口 SDRAM VHDL 基于
高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲(chǔ)的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語(yǔ)言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對(duì)高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 接口 設(shè)計(jì) DDR2-SDRAM 理系 圖像 處理 高速
爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開(kāi)始供貨
- 爾必達(dá)存儲(chǔ)器宣布，開(kāi)始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) SDRAM
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