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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> can sic

        SiC市場產值 今年估增4成

        • 根據(jù)市調統(tǒng)計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4%。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域,分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場產值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產品亦被起亞
        • 關鍵字: SiC  

        市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道

        • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產重組重新恢復審核,其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
        • 關鍵字: 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

        新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC(碳化硅)

        •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
        • 關鍵字: SiC  新能源汽車  汽車電子  

        GaN 時代來了?

        • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化,GaN 被認為會產生后續(xù)替代效應。據(jù)業(yè)內消息人士透露,這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進行了早期部署,并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級,并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

        • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

        5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產品!

        • 當您設計新電力電子產品時,您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源,其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
        • 關鍵字: 安森美  SiC  

        英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

        • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
        • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

        是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

        • 與硅技術相比,SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢,它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng),將會非常利于運維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設備更小、更輕,相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
        • 關鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

        高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

        • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應用領域需求廣泛,具有巨大的研究價值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展,總結了進一步提高器件品質因數(shù)的元胞優(yōu)化結構,介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
        • 關鍵字: SiC  MOSFET  

        特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導體迎來爆發(fā)

        • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產應用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車,可提高續(xù)航里程,對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料,那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何?國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區(qū)別?未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
        • 關鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  

        不懂CAN協(xié)議?如何避免總線仲裁失???

        • CAN總線是可以掛載多個控制單元,每個單元均可以發(fā)送和接收數(shù)據(jù),為了避免發(fā)生沖突,協(xié)議規(guī)定只有等信道空閑時刻優(yōu)先級高的單元才能占有總線并發(fā)送數(shù)據(jù),那么CAN單元是如何判斷優(yōu)先級的呢?CAN仲裁的實現(xiàn)方式1. CANID在CAN報文中的位置每一個CAN報文的CANID有唯一標識的11bit/29bit構成,以標準CAN幀為例,11bitCANID在CAN幀中的位置如圖1所示。SOF之后是Identifier,各個節(jié)點要外發(fā)的CANID通過CANID仲裁,優(yōu)先級高的報文被優(yōu)先發(fā)送。同時,對應節(jié)點優(yōu)先獲得CAN
        • 關鍵字: ZLG  CAN  

        瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

        • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
        • 關鍵字: 瑞薩  柵極驅動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

        安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議,進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系

        • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
        • 關鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  

        5V供電CAN器件和3.3V供電MCU之間的通訊

        • 目前市場上最常用的CAN通訊接口器件大多都是采用5V供電,而大部分的MCU供電電壓卻從5V降低到了3.3V供電,這樣就會造成5V CAN通訊接口器件和3.3V MCU進行通訊時的接口電平不一致問題,本文針對這種應用提出幾種5V供電CAN器件和3.3V供電MCU之間的連接方式,并給出了川土微電子產品的具體應用案例。CAN器件概述和MCU之間的連接CAN器件和MCU之間是通過RXD和TXD進行連接的,MCU發(fā)送的數(shù)據(jù)到CAN器件TXD后,由CAN收發(fā)器轉換成CAN的隱性和顯性電平發(fā)送到CAN總線,在接收數(shù)據(jù)時
        • 關鍵字: 川土微電子  CAN  MCU  

        CAN總線在新能源汽車中的通信網(wǎng)絡設計及應用分析

        • 從事汽車相關行業(yè)的小伙伴們,都知道CAN總線,它是當今汽車各電控單元之間通信的總線標準,現(xiàn)在幾乎所有的汽車廠家都選擇使用CAN總線通信。CAN總線起初便是基于BOSCH公司為了解決汽車的電子控制單元增多帶來的布線空間矛盾、汽車重量增加等諸多問題而誕生的。同時,CAN總線將汽車內部各電控單元之間連接成一個局域網(wǎng)絡,實現(xiàn)了信息的共享,大大減少了汽車的線束。新能源汽車更多資訊在“優(yōu)能工程師”,由易到難,由淺入深,全方位學習,維信館主。圖 1 整車 CAN 網(wǎng)絡的結構圖一、整車框圖BMS 控制網(wǎng)絡只是整車通信網(wǎng)絡
        • 關鍵字: 電壓隔離  CAN BUS  
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        can sic介紹

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