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面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時VTH 測量（一）
- 引言在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫 度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。 當前NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期
- 關(guān)鍵字： VTH
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